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HSMS-270B-TR1G的图片

HSMS-270B-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-270B-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-270B-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的肖特基二极管,HSMS-270B-TR1G采用了先进的肖特基势垒金属-半导体结架构。这种结构相较于传统的PN结二极管,具有更低的正向压降和更快的开关速度,其核心优势在于利用多数载流子导电,基本消除了电荷存储效应,从而在射频及高速开关应用中表现出卓越的性能。该器件在单芯片上集成了优化的肖特基结,确保了电气参数的高度一致性与可靠性。

该二极管在功能上展现出多项关键特性。其极低的结电容(典型值6.7pF @ 0V, 1MHz)低串联电阻(典型值650毫欧 @ 100mA, 1MHz)的组合,使其在高频信号路径中引入的损耗和失真极小,非常适合处理射频信号。高达750mA的最大正向电流和825mW的功率耗散能力,赋予了它良好的功率处理潜力。尽管其峰值反向电压为15V,适用于低电压电路环境,但高达150°C的结温(TJ)使其能在相对严苛的热环境下稳定工作。

在接口与参数层面,HSMS-270B-TR1G采用了紧凑的SC-70(SOT-323)表面贴装封装,这种小型化封装节省了宝贵的PCB空间,便于在空间受限的高密度设计中集成。其电气参数经过精心优化,在宽频带范围内保持稳定,工程师在选型时需重点关注其电容、电阻与工作电流、电压的匹配关系,以确保系统整体性能。虽然该产品目前已处于停产状态,但通过正规的博通代理商渠道,仍可获取库存或寻求功能兼容的替代方案。

基于其技术特点,该器件主要面向对频率响应和效率有较高要求的应用场景。它常被用于射频检波、混频器、高速开关电路以及低功耗DC-DC转换器中的续流或极性保护等关键位置。在通信设备、便携式电子产品的射频前端模块,以及需要快速信号整形的数字电路中,其低损耗、高速度的特性能够有效提升系统灵敏度和能效。对于设计高频、低电压、高效率电路的工程师而言,理解并合理应用此类肖特基二极管的特性至关重要。

  • 型号:HSMS-270B-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:750 mA
  • 不同Vr、F 时电容:6.7pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:650 毫欧 @ 100mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):825 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-270B-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-270B-TR1G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款表面贴装肖特基二极管,隶属于射频二极管系列。其核心价值在于为高频应用提供了低损耗、高速度的解决方案。

该器件在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为6.7pF,同时在100mA正向电流下串联电阻低至650毫欧,这确保了其在射频信号路径中的优异性能。其额定最大正向电流为750mA,峰值反向电压15V,采用紧凑的SOT-323封装,适用于空间受限的高频电路设计,如检波、混频及高速开关等场合。

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