HSMS-2800-TR1G

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的射频肖特基二极管，HSMS-2800-TR1G采用了先进的肖特基势垒技术，其核心架构基于高性能的半导体材料，旨在实现极低的正向压降和快速的开关响应。该器件采用单管芯设计，结构紧凑，通过优化的结电容和串联电阻参数，确保了在射频信号处理中的高效能和低损耗特性。其内部构造经过精密设计，以最小化寄生效应，从而在高频应用中保持信号的完整性。

该芯片在功能上表现出色，其极低的结电容（典型值2pF @ 0V, 1MHz）和串联电阻（典型值35欧姆 @ 5mA, 1MHz）使其成为高频检波、混频和开关电路的理想选择。其肖特基二极管特性提供了快速的恢复时间，能够有效处理高速信号，同时，高达70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流使其具备良好的耐压和载流能力。尽管该产品目前已处于停产状态，但其在特定存量应用或替代设计中仍展现出可靠的技术价值，用户可通过博通中国代理等渠道获取库存或技术支持信息。

在接口与参数方面，HSMS-2800-TR1G采用标准的SOT-23-3（TO-236-3）表面贴装封装，便于集成到紧凑的PCB布局中。其工作结温高达150°C，确保了在宽温度范围内的稳定运行。关键电气参数如低电容和电阻特性，直接支持了其在射频领域的性能要求，使其能够有效应用于信号调理、频率转换等场景。

该器件主要面向射频和微波应用场景，包括但不限于移动通信设备、无线局域网（WLAN）、雷达系统以及测试测量仪器中的检波器和混频器模块。其低损耗和高频响应特性使其适用于需要高效信号处理的场合，例如在接收机前端进行信号检测或在发射链中实现快速开关控制。对于工程师而言，在选择此类高性能射频二极管时，需综合考虑其参数匹配性和系统兼容性，以优化整体电路性能。

• 型号:HSMS-2800-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:70V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取HSMS-2800-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2800-TR1G是一款由安华高科技（Broadcom博通）生产的射频肖特基二极管，采用SOT-23-3封装，专为高频应用设计。其核心卖点在于极低的结电容（2pF @ 0V, 1MHz）和串联电阻（35欧姆 @ 5mA, 1MHz），这确保了在射频信号路径中的最小损耗和快速响应，适用于高速开关和信号处理。

该器件提供70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流，具备良好的电气鲁棒性，工作结温可达150°C，适合宽温环境下的稳定运行。尽管目前已停产，但其在射频检波、混频及开关电路中的性能表现，使其在存量通信和测量设备中仍具应用价值。