HSMS-2802-TR1G

HSMS-2802-TR1G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个串联的肖特基二极管，这种架构使其在射频信号路径中能够承受更高的反向电压，同时维持较低的串联电阻和结电容，为高频电路设计提供了优化的平衡点。其核心优势在于将传统肖特基二极管的高频响应特性与串联结构的电压耐受能力相结合，适用于对信号完整性和功率处理有特定要求的应用。

该芯片的关键功能特性体现在其卓越的射频性能上。其反向峰值电压高达70V，为许多射频开关和检波电路提供了充足的电压裕量。在1MHz测试条件下，其零偏置电容低至2pF，这确保了在高达数GHz的工作频率范围内，器件对信号路径引入的容性负载极小，从而最大限度地减少了信号衰减和相位失真。同时，在5mA正向电流下测得的串联电阻仅为35欧姆，这直接转化为较低的正向导通压降和插入损耗，有助于提升系统效率。其工作结温高达150°C，增强了在高温环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通芯片代理获取相关产品信息和技术支持。

在接口与参数方面，该器件采用标准的SOT-23-3（也称为SC-59或TO-236-3）封装，便于自动化贴装并节省PCB空间。其最大正向电流为1A，能够处理一定的脉冲或平均功率。低电容与低电阻的组合参数使其品质因数（优值）表现突出，特别适合高频应用。尽管该产品状态已标注为停产，但其设计参数和性能指标在同类射频肖特基二极管中仍具有参考价值，适用于对现有设计的维护或特定批次的备货需求。

基于上述特性，HSMS-2802-TR1G典型的应用场景主要集中在射频前端和信号处理领域。它常被用于VHF至微波频段的信号检波、混频器中的平衡二极管对、以及低损耗射频开关中的关键控制元件。其高反向电压特性也使其适用于需要一定功率容限的限幅器或保护电路。在测试测量设备、通信模块以及一些工业射频传感系统中，都能找到此类高性能肖特基二极管对的身影，它们为系统实现精确的信号幅度检测和高效频率变换提供了基础保障。

• 型号:HSMS-2802-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
• 电压 - 峰值反向（最大值）:70V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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HSMS-2802-TR1G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对，采用SOT-23-3封装。其核心设计为两个串联的肖特基二极管，提供了高达70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流，增强了电路的电压耐受能力和功率处理潜力。

该器件的射频性能参数是其关键卖点。在1MHz下，其零偏置电容低至2pF，串联电阻仅为35欧姆（@5mA），这一低电容与低电阻的组合确保了在高频工作条件下具有极低的插入损耗和信号失真，适用于要求严苛的射频路径。其工作结温可达150°C，提升了环境适应性。这些特性使其非常适合用于高频检波、混频及开关电路。