HSMS-280B-TR2G

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-280B-TR2G采用了先进的肖特基结技术，其核心架构旨在实现高频信号下的低损耗与快速响应。该器件为单管结构，通过优化的半导体材料和结区设计，在保证反向击穿电压的同时，显著降低了结电容和正向导通压降，这对于维持射频电路的信号完整性和效率至关重要。

该二极管的功能特点突出体现在其高频性能上。在0V偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为2pF，这一低电容特性使其在GHz频段仍能保持优异的隔离度，有效减少对高频信号的旁路效应。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻为35欧姆，结合肖特基二极管固有的低开启电压特性，共同确保了信号通路中的插入损耗维持在较低水平。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的安全工作裕度。

在接口与参数方面，博通中国代理提供的技术资料显示，HSMS-280B-TR2G采用标准的SOT-323（亦称SC-59或SOT-23-3）表面贴装封装，这种小型化封装非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，增强了器件在高温环境下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能参数使其在特定领域仍有应用价值。

基于上述技术特性，HSMS-280B-TR2G非常适合应用于对频率响应和损耗敏感的射频电路场景。典型应用包括微波混频器、检波器、低功耗射频开关以及高频信号采样电路。其低电容和低串联电阻的组合，使其能够胜任需要快速开关和高效整流的高频环境，例如通信设备的前端模块、测试测量仪器中的信号调理单元等。

• 型号:HSMS-280B-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:70V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-323
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HSMS-280B-TR2G是一款由Broadcom（原Avago）推出的表面贴装射频肖特基二极管。其核心价值在于为高频应用提供了优异的低损耗特性，关键参数包括70V的峰值反向电压、1A的最大正向电流，以及低至2pF @ 0V, 1MHz的结电容。

该器件采用紧凑的SOT-323封装，工作结温可达150°C。其35欧姆 @ 5mA, 1MHz的串联电阻与低结电容相结合，确保了在射频信号路径中的高效率和良好信号完整性，适用于要求快速响应和低插入损耗的电路设计。