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HSMS-280E-TR1G的图片

HSMS-280E-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-280E-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-280E-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频肖特基二极管对,HSMS-280E-TR1G采用了先进的1对共阳极架构。这种结构将两个独立的肖特基二极管集成在单一芯片上,并共享一个阳极引脚,为电路设计提供了紧凑且对称的解决方案,特别适用于需要平衡信号处理或高频整流的场合。其核心半导体工艺确保了在射频及微波频段下优异的开关速度与低噪声性能。

该器件在射频信号处理方面展现出显著优势,其极低的结电容(典型值2pF @ 0V, 1MHz)是核心亮点之一,这使其在高频应用中能有效减少信号损耗和相位失真,保持信号完整性。同时,35欧姆的典型串联电阻(@ 5mA, 1MHz)与高达70V的峰值反向电压相结合,在提供足够反向击穿保护的同时,兼顾了正向导通时的效率。高达150°C的结温(TJ)使其能在更宽的环境温度范围内稳定工作,提升了系统的可靠性。对于需要获取此型号进行设计验证或备货的工程师,可以通过授权的博通代理商查询库存与技术支持。

在接口与物理特性上,HSMS-280E-TR1G采用了微型化的SC-70(SOT-323)表面贴装封装。这种封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间,其紧凑的尺寸也利于减少寄生参数,对维持高频性能至关重要。器件标称的最大正向电流为1A,能够满足多数中小功率射频电路的需求。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计选型时需评估替代方案或长期供货计划。

基于其技术特性,该芯片典型应用于射频信号检波、混频器电路、高频整流以及低功耗微波开关等场景。例如,在通信设备的功率检测模块中,其低电容和快速开关特性可用于精确的高频AC信号到DC信号的转换;在平衡混频器设计中,其共阳极配对结构能有效抑制共模噪声,提升动态范围。它是面向VHF至微波频段、对器件尺寸和频率响应有严格要求的设计中的经典选择之一。

  • 型号:HSMS-280E-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):70V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-280E-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-280E-TR1G是Broadcom(原Avago)推出的一款采用SOT-323封装的射频肖特基二极管对。其核心价值在于为高频应用提供了优异的电气性能组合,包括极低的结电容(2pF @ 0V)和串联电阻(35Ω @ 5mA),这确保了在高达微波频段下的低信号损耗与高开关速度。

该器件采用1对共阳极结构,最大反向电压70V,正向电流1A,结温可达150°C,适用于紧凑型射频电路设计。其主要面向射频检波、混频及高速开关等应用,是需要在小型化封装内实现可靠高频操作的解决方案。需注意,该产品目前已停产。

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