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HSMS-280F-TR2G的图片

HSMS-280F-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-280F-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-280F-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-280F-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管,这种架构特别适用于需要对称或平衡信号处理的射频电路,例如混频器、检波器和频率倍增器。其共阴极设计简化了PCB布局,减少了外部连接点,有助于提升高频应用的稳定性和一致性。

该二极管的核心优势在于其卓越的高频性能。在0V偏置、1MHz测试条件下,其结电容低至2pF,这确保了在甚高频(VHF)及更高频段信号路径中引入的容性负载极小,从而最大限度地减少了信号损耗和相位失真。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻典型值为35欧姆,较低的电阻值有助于降低二极管的导通压降和自身功耗,提升整体电路效率。其峰值反向电压高达70V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温(TJ)工作能力,赋予了器件良好的鲁棒性和宽泛的工作裕量。

在接口与参数层面,HSMS-280F-TR2G的SOT-323封装是其关键物理特性之一,它实现了高性能与微型化封装的结合,非常适合空间受限的现代便携式及高密度集成设备。虽然该产品目前已处于停产状态,但其设计成熟,性能参数在同类产品中依然具有参考价值。对于有特定需求或库存备料的项目,通过可靠的博通一级代理渠道进行咨询和采购,是获取原装正品和支持的有效途径。

基于上述特性,HSMS-280F-TR2G的传统应用场景主要集中在射频前端和信号调理领域。它常被用于UHF频段的低功耗混频器设计,实现频率转换;在振幅调制(AM)或射频识别(RFID)系统的检波器中,用于高效解调信号;也可作为低阶频率倍增器中的非线性元件。其平衡的共阴极对结构也使其成为某些需要对称性处理的相位检测或平衡调制电路的理想选择。

  • 型号:HSMS-280F-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):70V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-280F-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-280F-TR2G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对,采用SOT-323微型封装。该器件集成了共阴极配置的双二极管,专为高频应用优化设计。

其核心电气参数突出,具备70V的高峰值反向电压和1A的最大正向电流,确保了良好的耐压与载流能力。在射频关键指标上,其低至2pF的结电容(@0V, 1MHz)和35欧姆的串联电阻(@5mA, 1MHz),有效保障了在高频工作条件下的低损耗与高响应速度,适用于混频、检波等对信号完整性要求严苛的电路。

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