HSMS-280K-TR2G

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）推出的射频肖特基二极管，HSMS-280K-TR2G采用了先进的隔离式双二极管对架构。该架构将两个独立的肖特基二极管集成于一个微型封装内，实现了优异的电气隔离性能，有效减少了通道间的串扰，为需要匹配对或平衡设计的射频电路提供了理想的解决方案。其核心的肖特基结工艺，确保了器件在微波频段下仍能保持极快的开关速度与低的正向压降。

该器件的显著特性在于其卓越的高频性能与紧凑的物理尺寸。在0V偏置、1MHz条件下，其结电容典型值低至2pF，这一关键参数使其在VHF至微波频段的应用中能有效降低对电路Q值的影响，保持信号完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz测试条件下，其串联电阻仅为35欧姆，结合高达70V的峰值反向电压与1A的最大正向电流能力，赋予了其良好的功率处理与信号检波线性度。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与封装方面，博通一级代理通常提供的HSMS-280K-TR2G采用标准的6引脚TSSOP（SC-88，SOT-363）封装。这种超小型表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了高频下的寄生参数，特别适合高密度组装。其引脚配置专为射频布局优化，便于设计对称的微带线或共面波导匹配电路，以实现从直流到数GHz频率范围内的最佳性能。

基于上述技术特性，HSMS-280K-TR2G非常适合应用于对尺寸和频率性能有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：微波混频器与平衡调制解调器、高频信号检波与峰值保持电路、低损耗射频开关以及便携式通信设备中的信号采样与测量模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计项目中，它依然是工程师在寻求高性能、微型化射频二极管解决方案时的经典参考选择。

• 制造商产品型号：HSMS-280K-TR2G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 1 对隔离式
• 电压-峰值反向（最大值）：70V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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HSMS-280K-TR2G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款采用SOT-363封装的隔离式肖特基二极管对，专为高频应用优化。其核心优势在于极低的结电容（2pF @ 0V）和串联电阻（35Ω @ 5mA），这确保了在VHF至微波频段内出色的信号响应速度和最小的插入损耗。

该器件具备70V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，结合高达150°C的工作结温，提供了宽动态范围和可靠的工作稳定性。其微型化封装非常适合空间受限的射频电路设计，如混频器、检波器和高速开关等关键功能模块。