HSMS-280M-TR1G

作为一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频肖特基二极管，HSMS-280M-TR1G采用了先进的肖特基结工艺，其核心架构为两对共阴极配置的二极管集成于单一芯片之上。这种共阴极对管设计在紧凑的封装内实现了优异的对称性和匹配性，特别适合于需要平衡信号处理或倍频的射频电路。其内部结构经过优化，旨在最小化寄生参数，确保在高达数GHz的高频段仍能保持稳定的电气性能。

该器件的功能特点突出体现在其高频低损耗特性上。在零偏压、1MHz测试条件下，其结电容典型值低至2pF，这使其在射频开关、混频器等应用中能有效减少对信号路径的加载效应，保持信号完整性。同时，在5mA正向电流、1MHz条件下，其串联电阻仅为35欧姆，较低的导通电阻有助于降低信号在通过二极管时的功率损耗，提升系统效率。其峰值反向电压高达70V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的工作电压和电流裕量，增强了电路设计的鲁棒性。

在接口与关键参数方面，HSMS-280M-TR1G采用标准的6引脚TSSOP（SC-88，SOT-363）超小型表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，确保了在严苛环境或高功率密度应用下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定领域仍有应用价值，用户可通过可靠的博通一级代理渠道获取库存或替代方案咨询。

该芯片典型的应用场景涵盖无线通信基础设施、测试与测量设备以及消费电子领域。其低电容、低串联电阻的特性使其非常适合用于UHF至微波频段的检波器、平衡混频器以及低功耗射频开关。此外，其共阴极对管结构也常被用于频率倍增器电路，如从较低的本振频率生成倍频信号，为锁相环（PLL）或上变频链路提供纯净的谐波源。在需要高性能、小型化射频前端的设计中，HSMS-280M-TR1G提供了一个经过验证的解决方案。

• 制造商产品型号：HSMS-280M-TR1G
• 制造商：安华高科技（Avago Technologies，Broadcom博通）
• 描述：RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363
• 系列：二极管 - 射频
• 零件状态：停产
• 二极管类型：肖特基 - 2 对共阴极
• 电压-峰值反向（最大值）：70V
• 电流-最大值：1A
• 不同Vr、F时电容：2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F时电阻：35 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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HSMS-280M-TR1G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款射频肖特基二极管对管，采用两对共阴极配置集成于SOT-363封装内。其核心优势在于优异的高频特性，包括极低的结电容（2pF @ 0V）和串联电阻（35 Ohm @ 5mA），这使其在射频电路中能实现低插入损耗和高隔离度，非常适合高频信号处理。

该器件提供70V的峰值反向电压和1A的最大电流能力，结合150°C的最高工作结温，确保了在宽泛工作条件下的可靠性与稳定性。其超小型表面贴装封装为空间受限的射频模块设计提供了高密度集成的可能，主要面向射频检波、混频、开关及倍频等关键电路应用。