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HSMS-280R-TR1G的图片

HSMS-280R-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-280R-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-280R-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-280R-TR1G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装射频肖特基二极管。该器件采用紧凑的6引脚SOT-363(SC-88)封装,内部集成了两对串联的肖特基二极管结构。这种独特的双串联对架构设计,使其在射频信号路径中能够提供更高的反向击穿电压处理能力,同时维持了肖特基二极管固有的低正向压降和快速开关特性,非常适合在需要高频率、高效率处理的电路中作为关键非线性元件使用。

在功能表现上,该二极管的核心优势在于其优异的射频性能平衡。它提供了高达70V的峰值反向电压,确保了在较高功率或存在电压尖峰的射频环境下的可靠性。其极低的结电容,在0V偏压下典型值仅为2pF(测试条件1MHz),这极大地减少了其对高频信号的旁路效应,使得信号损耗最小化,尤其适用于GHz频段的应用。同时,串联结构带来的低串联电阻(典型值35欧姆 @ 5mA, 1MHz)保证了在导通状态下具有良好的电流传导效率,有助于降低整体插入损耗。其最高工作结温可达150°C,展现了良好的热稳定性。

从接口与参数来看,该器件为无源元件,其性能完全由上述电压、电容、电阻等关键参数定义。1A的最大电流能力使其能够应对适中的信号电平。紧凑的SOT-363封装使其非常适合高密度PCB布局,满足了现代便携式和微型化电子设备对空间的要求。用户在设计和采购时,可通过专业的博通授权代理渠道获取完整的技术资料、样品支持以及可靠的供应链服务,这对于确保设计合规性与生产连续性至关重要。

基于其技术特性,HSMS-280R-TR1G主要面向各类射频前端和信号处理电路。典型的应用场景包括混频器、检波器、采样保持电路以及高频信号限幅与保护电路。在通信设备、测试与测量仪器、雷达模块以及高速数据采集系统中,它常被用于实现频率转换、信号幅度检测或波形整形等功能。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有系统维护、特定批次生产或对经典成熟方案有需求的场合,它仍然是一个经过验证的高性能选择,工程师在选型时需综合考虑供应链状况与替代方案。

  • 型号:HSMS-280R-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):70V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-280R-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-280R-TR1G是一款采用SOT-363封装的表面贴装射频肖特基二极管,内部集成两对串联结构。其核心卖点在于优异的射频性能平衡:提供高达70V的峰值反向电压以确保可靠性,同时具备极低的结电容(2pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(35欧姆 @ 5mA, 1MHz),从而在GHz频段实现低信号损耗和高效率。

该器件支持最高150°C的工作结温,并拥有1A的电流处理能力。这些特性使其非常适用于高频应用,如混频器、检波器及采样保持电路,是通信和测量设备中实现关键非线性功能的理想选择。

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