HSMS-2815-TR1G

HSMS-2815-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装射频肖特基二极管对。该器件采用紧凑的SOT-143-4（TO-253-4）封装，内部集成了两个电气隔离的肖特基二极管，为射频信号处理提供了高度集成的解决方案。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术，通过优化的半导体材料和结区设计，在实现极低正向压降的同时，确保了出色的高频响应特性。这种双独立二极管的结构设计，使其在平衡混频器、倍频器以及高速开关等电路中能够提供对称且一致的性能，是构建精密射频前端的理想选择。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。其结电容在0V偏压下典型值仅为1.2pF（@1MHz），这一极低的寄生电容特性对于维持高频信号的完整性至关重要，能有效减少信号损耗和失真。同时，其串联电阻在5mA正向电流下为15欧姆（@1MHz），保证了信号通路具有较低的插入损耗。器件可承受高达20V的峰值反向电压，最大正向电流为1A，并能在高达150°C的结温下稳定工作，展现了良好的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，HSMS-2815-TR1G的四个引脚清晰地定义了双二极管的阳极和阴极连接，便于电路板布局设计。其关键电气参数，如低结电容和串联电阻，共同决定了器件在甚高频（VHF）至超高频（UHF）频段的应用潜力。尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和稳定的性能使其在特定存量或延续性项目中仍具有重要价值。工程师在设计时需参考其完整的直流与射频参数曲线，以确保在目标频点获得最优性能。

该芯片典型的应用场景涵盖了对高频性能和电路尺寸有严格要求的领域。它非常适合用于微波混频器、射频检波器、低功耗倍频电路以及高速信号采样开关。在通信设备、测试与测量仪器、雷达接收前端以及卫星导航模块中，都能找到其用武之地。其小巧的封装尤其有利于高密度PCB设计，满足现代电子产品小型化、集成化的发展趋势。在设计此类应用时，工程师需综合考虑其阻抗匹配、偏置点设置以及热管理，以充分发挥这款高性能肖特基二极管对的潜力。

• 型号:HSMS-2815-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-143-4
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-143-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式
• 电压 - 峰值反向（最大值）:20V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA
• 供应商器件封装:SOT-143-4
• 想获取HSMS-2815-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2815-TR1G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对，采用SOT-143-4封装，集成了两个独立的二极管单元。其核心价值在于为高频电路设计提供了优异的性能组合。

该器件在0V偏压、1MHz条件下的结电容典型值低至1.2pF，串联电阻在5mA电流下为15欧姆，这确保了其在VHF/UHF频段具有极低的信号损耗和出色的频率响应。同时，它支持20V的峰值反向电压、1A的最大正向电流，并可在高达150°C的结温下工作，兼顾了高性能与可靠性，适用于对尺寸和射频特性有严苛要求的场景。