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HSMS-2815-TR2G的图片

HSMS-2815-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-143-4
原厂封装:封装:SOT-143-4
优势价格,HSMS-2815-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2815-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)开发的射频肖特基二极管,HSMS-2815-TR2G采用了紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)表面贴装封装。其核心架构基于两个独立的肖特基结,这种设计在单个封装内提供了两个匹配的二极管单元,为平衡混频器、检波器以及倍频电路等应用提供了便利。器件在射频信号路径中表现出低损耗和高效率的特性,得益于肖特基势垒的快速开关机制,使其能够处理高达1GHz及以上的高频信号。

该器件的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在0V偏置、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1.2pF,这一低电容特性对于维持高频电路的带宽和信号完整性至关重要,能有效减少对高频信号的旁路效应。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻为15欧姆,较低的导通电阻有助于降低信号在二极管上的压降和功率损耗,提升整体电路效率。其峰值反向电压为20V,正向电流最大可达1A,结合高达150°C的结温工作能力,确保了在多种工作环境下的可靠性与稳定性。

在接口与参数方面,HSMS-2815-TR2G的四个引脚为两个独立二极管提供了清晰的连接定义,便于电路板布局设计。其SOT-143-4封装符合自动化表面贴装生产要求,适合高密度PCB组装。尽管该产品目前已处于停产状态,但其技术规格在特定领域仍有参考价值,工程师在选型或维护旧有设计时,可通过专业的博通代理商渠道咨询库存或替代方案信息。

该芯片的典型应用场景广泛覆盖了射频前端与信号处理领域。它常被用于VHF至微波频段的小信号检波、混频以及低功耗倍频电路中,例如在通信接收机、测试测量设备及雷达系统中作为关键的非线性元件。其低电容和低串联电阻的组合,使其特别适合于对插入损耗和信号失真敏感的高频应用,是构建高性能射频子系统的一个经典选择。

  • 型号:HSMS-2815-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-143-4
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-143-4
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商器件封装:SOT-143-4
  • 想获取HSMS-2815-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2815-TR2G是Broadcom(原安华高)推出的一款SOT-143-4封装的射频肖特基二极管对。其核心卖点在于优异的高频特性,包括极低的结电容(1.2pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(15Ω @ 5mA, 1MHz),这使其在VHF至微波频段能实现高效的小信号处理。

该器件由两个独立的肖特基二极管构成,峰值反向电压20V,最大正向电流1A,最高结温150°C,适用于要求高可靠性和紧凑布局的射频电路设计。其主要面向射频检波、混频及倍频等应用,是通信与测试设备中实现高频信号转换的关键元件。

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