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HSMS-281B-BLKG的图片

HSMS-281B-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-281B-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-281B-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

在射频信号处理与检波电路中,HSMS-281B-BLKG是一款基于肖特基势垒原理构建的单片式射频二极管。其核心采用先进的半导体工艺,在硅衬底上形成金属-半导体结,这种结构使得器件在正向导通时具有极低的开启电压,同时在反向恢复时表现出卓越的速度特性,这对于高频信号的精确处理至关重要。该架构确保了在高达数GHz的频率范围内,器件仍能维持稳定的电气性能,为射频前端设计提供了可靠的非线性元件基础。

该器件的功能特性突出体现在其高频低损耗性能上。在0V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1.2pF,这一低电容特性显著降低了其对高频信号的旁路效应,保证了信号路径的完整性。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻仅为15欧姆,有效减少了信号在通过二极管时的功率损耗。结合其高达20V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,HSMS-281B-BLKG在提供出色射频性能的同时,也兼顾了良好的耐用性和一定的功率处理能力。其工作结温高达150°C,进一步拓宽了其在严苛环境下的应用范围。

在接口与参数层面,该器件采用紧凑的SOT-323(SC-70)表面贴装封装,非常适合于高密度PCB布局。其电气参数经过精心优化,旨在满足现代无线通信设备对小型化、高性能的苛刻要求。用户在设计时,需重点关注其在不同偏置条件下的电容与电阻曲线,以确保在目标频段内实现最佳的阻抗匹配和信号处理效果。对于需要获取原厂技术支持和正品货源的设计团队,可以通过官方授权的博通中国代理渠道进行咨询与采购。

基于其技术特性,HSMS-281B-BLKG非常适合应用于对频率响应和信号灵敏度要求较高的场景。典型应用包括微波混频器、射频检波器、低功耗信号采样以及高频开关电路。在便携式通信设备、卫星接收模块、测试测量仪器及雷达系统中,它常被用于实现高效的信号频率转换、功率检测或逻辑控制功能。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有系统维护和特定设计项目中,它依然是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:HSMS-281B-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-281B-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-281B-BLKG是安华高科技(现属Broadcom博通)推出的一款表面贴装肖特基射频二极管。该器件核心优势在于其卓越的高频性能,其极低的结电容(典型值1.2pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(典型值15欧姆 @ 5mA, 1MHz)使其在射频信号路径中引入的损耗和失真极小,非常适合用于高频信号处理。

该二极管采用紧凑的SOT-323封装,提供了20V的峰值反向电压和1A的最大正向电流处理能力,并支持高达150°C的工作结温,在确保高性能的同时也具备了良好的可靠性与环境适应性。这些参数特性使其成为混频、检波、开关等射频前端电路中的关键元件。

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