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HSMS-281C-TR2G的图片

HSMS-281C-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-281C-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-281C-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-281C-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用串联配置的芯片架构。该器件基于成熟的肖特基势垒技术,其核心在于利用金属-半导体结实现快速开关与低正向压降特性。内部集成的两个二极管以串联形式连接在同一硅片上,这种集成化设计不仅优化了高频性能,减少了寄生参数,还确保了两个单元之间优异的热匹配和电特性一致性,为射频电路提供了稳定可靠的非线性元件基础。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。其极低的结电容(典型值1.2pF @ 0V, 1MHz)是其在高达数GHz频率范围内保持良好性能的关键,能有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时,串联配置使其能承受更高的峰值反向电压(最大20V),拓宽了其在信号电平较高的电路中的应用范围。尽管最大正向电流为1A,但其在微小信号下的动态电阻特性(典型值15欧姆 @ 5mA, 1MHz)对于混频、检波等小信号应用至关重要,直接影响转换损耗和灵敏度。其工作结温高达150°C,展现了良好的热可靠性。

在接口与参数方面,该器件采用标准的SOT-323(SC-70)三引脚封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。三个引脚分别对应两个二极管的阳极和共阴极,串联结构清晰明了,便于电路设计。其电气参数,如低电容、适中的动态电阻和20V的反向耐压,共同定义了一个适用于小功率、高频信号处理的肖特基二极管对的典型性能窗口。用户可通过博通中国代理获取详细的技术资料与供应链支持。

基于上述特性,HSMS-281C-TR2G非常适合应用于对频率响应和信号完整性要求较高的场景。典型应用包括微波频段的低功耗平衡混频器、射频信号检波器以及高速开关电路。它也常见于通信设备、测试仪器及雷达系统的前端模块中,用于实现信号的频率转换、功率检测或脉冲整形。其小型化封装也使其成为便携式无线设备中空间受限设计的理想选择。

  • 型号:HSMS-281C-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-281C-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-281C-TR2G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对,采用串联配置于SOT-323封装内。其核心价值在于为高频应用提供了优化的非线性特性组合。

该器件的关键卖点包括极低的结电容(1.2pF @ 0V),确保其在GHz频段仍能保持优异的频率响应;20V的峰值反向电压提供了更宽的工作裕度;以及在小电流下(5mA)15欧姆的动态串联电阻,有利于降低小信号检波或混频应用的转换损耗。这些参数使其成为高频小信号处理的可靠选择。

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