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HSMS-281F-TR1G的图片

HSMS-281F-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-281F-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-281F-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-281F-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑型SOT-323(SC-70)封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管,这种架构特别适用于需要高频信号处理的平衡混频器、检波器以及倍频电路。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻,在0V偏压和1MHz测试条件下,典型结电容仅为1.2pF,而在5mA正向电流下,串联电阻低至15欧姆,这确保了其在射频(RF)和微波频段具有出色的信号完整性与低损耗特性。

该二极管对的功能设计聚焦于高频应用。其20V的最大反向峰值电压1A的最大正向电流能力,为信号处理提供了可靠的动态范围保障。肖特基势垒结构带来的快速开关特性,结合微小的封装尺寸,使其能够高效地应用于高速信号路径中,进行精确的整流、检波或信号切换。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能参数,使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。对于有相关需求的工程师,通过可靠的Broadcom代理商渠道获取库存或替代方案信息是必要的步骤。

在电气参数方面,HSMS-281F-TR1G的优异性能直接体现在其高频特性上。极低的寄生参数(电容与电阻)最大限度地减少了信号衰减和相位失真,这对于维持高频电路的增益和带宽至关重要。其工作结温高达150°C,提供了良好的热稳定性,适应较为严苛的工作环境。SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也符合现代电子设备高密度集成的趋势,便于自动化贴装生产。

基于其技术特性,HSMS-281F-TR1G典型应用于移动通信设备、无线局域网(WLAN)模块、卫星接收前端等领域的射频电路中。具体场景包括作为平衡混频器的核心非线性元件,实现频率的上变频或下变频;在功率检测或信号强度指示(RSSI)电路中用作检波器;亦可用于低阶倍频器或高速采样保持电路。其设计平衡了性能、尺寸与成本,曾是射频前端模块中实现关键功能的常用分立解决方案之一。

  • 型号:HSMS-281F-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-281F-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-281F-TR1G是一款采用SOT-323封装的表面贴装肖特基二极管对,内部为共阴极结构,专为高频应用优化。其核心电气参数突出,在0V偏压、1MHz条件下结电容低至1.2pF,在5mA正向电流下串联电阻仅为15欧姆,这共同保障了其在射频路径中的低损耗与高信号保真度。

该器件具备20V的最大反向峰值电压和1A的最大正向电流处理能力,提供了足够的操作余量。高达150°C的工作结温确保了其在高温环境下的可靠性。这些特性使其非常适合应用于要求快速开关和低寄生参数的射频电路,如混频器、检波器和倍频器,是紧凑型射频前端设计的经典分立元件选择。

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