HSMS-281F-TR2G

HSMS-281F-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对，采用紧凑的SOT-323（SC-70）封装。该器件内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管，这种架构特别适用于需要高频信号处理与整流的射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容与串联电阻，在0V偏压和1MHz测试频率下，典型结电容仅为1.2pF，而在5mA正向电流下，串联电阻低至15欧姆，这确保了其在射频范围内具有出色的信号完整性和低损耗特性。

该芯片的功能特点突出其高频性能。其极低的寄生参数使其能够高效工作在UHF乃至更高频段，同时，高达20V的峰值反向电压和1A的最大正向电流提供了良好的鲁棒性。尽管产品状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中，它依然是高频检波、混频、低功率整流以及信号钳位等关键功能的首选器件之一。其工作结温高达150°C，展现了良好的热可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的博通一级代理获取相关的库存与技术资料支持。

在接口与参数方面，HSMS-281F-TR2G采用标准的三引脚SOT-323封装，其中两个阳极引脚和一个共用的阴极引脚，便于在PCB上进行布局。其电气参数，如低电容、低电阻与适中的反向电压，共同定义了其在射频路径中的行为。这些参数使其能够快速响应高频信号变化，同时将信号衰减和失真降至最低，是设计紧凑型高频模块时的理想选择。

典型的应用场景广泛覆盖了无线通信领域。它常被用于移动设备、无绳电话、卫星接收器等设备的射频检波器和混频器电路中，也适用于高速开关和采样保持电路。其小型化封装和优异的频率响应，使其在空间受限且对性能有高要求的射频前端设计中，能够有效提升系统的整体灵敏度和效率。

• 型号:HSMS-281F-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
• 电压 - 峰值反向（最大值）:20V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
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HSMS-281F-TR2G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款表面贴装肖特基二极管对，采用SOT-323封装，内部为共阴极结构。该器件的核心价值在于其卓越的高频特性，其结电容低至1.2pF @ 0V, 1MHz，串联电阻仅为15欧姆 @ 5mA, 1MHz，这使其在射频应用中能实现极低的信号损耗和优异的响应速度。

该二极管对提供20V的峰值反向电压和1A的最大正向电流，确保了在多种电路条件下的可靠工作。其高达150°C的工作结温进一步提升了其在严苛环境下的适用性。尽管处于停产状态，它仍然是射频检波、混频及高速开关等关键电路设计的经典解决方案之一。