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HSMS-281L-BLKG的图片

HSMS-281L-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-281L-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-281L-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-281L-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装射频肖特基二极管阵列。该器件采用紧凑的SOT-363(SC-88)封装,内部集成了三个独立的肖特基二极管单元,为高频电路设计提供了高集成度与布局灵活性。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术,通过金属-半导体结实现快速开关与低正向压降特性,特别优化了在射频及微波频段下的性能表现。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。极低的结电容(典型值1.2pF @ 0V, 1MHz)串联电阻(典型值15欧姆 @ 5mA, 1MHz)是其关键优势,这确保了在高达数GHz的工作频率下,信号损耗和失真被降至最低,从而维持良好的信号完整性。其峰值反向电压为20V,最大正向电流为1A,提供了足够的操作余量。尽管该产品目前已处于停产状态,但其在库存或既有设计中仍展现出高可靠性,其结温(Tj)最高可支持150°C,适应较为严苛的工作环境。

在接口与参数方面,HSMS-281L-BLKG的6引脚TSSOP封装便于自动化贴装,三个独立二极管为电路拓扑(如平衡混频器、倍频器或射频开关)提供了多种连接可能。其电气参数,尤其是电容和电阻随偏置电压与频率变化的特性,是射频工程师进行精确电路仿真的重要依据。对于需要获取此类高性能射频分立器件的用户,通过可靠的博通一级代理渠道进行咨询与采购,是确保获得正品原装器件和支持的有效途径。

该器件的典型应用场景广泛覆盖无线通信基础设施、测试与测量设备以及消费电子领域。它常被用于混频、检波、采样保持、低功耗开关及频率倍增等关键射频功能模块中。例如,在手持设备的射频前端或卫星通信接收机的下变频电路中,其快速响应和低损耗特性对于提升系统灵敏度和动态范围至关重要。其小型化封装也使其非常适合高密度PCB布局的现代便携式电子产品。

  • 型号:HSMS-281L-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 3 个独立式
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-281L-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-281L-BLKG是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管阵列,采用SOT-363封装,内部集成三个独立单元。

其核心卖点在于优异的高频特性:在0V偏置和1MHz条件下,典型结电容仅为1.2pF,串联电阻为15欧姆(@5mA),这确保了在射频应用中极低的信号损耗和出色的响应速度。器件支持20V峰值反向电压和1A最大电流,最高结温达150°C,为射频设计提供了可靠的性能基础。

该器件专为高频电路设计,适用于混频、检波、开关及倍频等关键功能,常见于无线通信、测试仪器等对频率特性要求苛刻的场合。

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