HSMS-2822-TR2G

HSMS-2822-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对，采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个串联的肖特基二极管，这种架构使其在射频信号路径中能够提供对称的导通特性，特别适用于需要精确信号处理的场合。其核心优势在于极低的结电容和串联电阻，在0V偏压和1MHz测试频率下，典型结电容仅为1pF，而在5mA正向电流下，串联电阻低至12欧姆，这确保了其在高频环境下具有出色的信号完整性和极低的插入损耗。

该芯片的功能特点突出其在高频应用中的性能。高达150°C的结温（TJ）工作能力赋予了其良好的热稳定性和可靠性，适合在环境要求较为严苛的系统中部署。其峰值反向电压为15V，最大正向电流为1A，参数设计平衡了信号处理与一定的功率耐受需求。TO-236-3（SC-59，SOT-23-3）封装是业界的标准封装之一，便于自动化贴装，并有利于在紧凑的PCB布局中实现高密度集成。对于需要获取原厂正品或技术支持的客户，通过博通一级代理渠道是可靠的选择。

在接口与参数层面，HSMS-2822-TR2G的电气特性使其成为射频电路的理想选择。极低的寄生参数是其关键接口特性，直接决定了在高频开关、混频和检波应用中的性能上限。其串联对的结构也简化了外部偏置电路的设计。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需评估供应链的长期可获得性，或考虑其后续替代方案。

典型的应用场景广泛覆盖无线通信领域。它常被用于微波混频器、射频检波器、采样保持电路以及高频信号开关等关键模块中。例如，在便携式通信设备、卫星接收前端、测试测量仪器等对频率响应和信号灵敏度要求极高的设备里，该器件能够有效提升系统性能。其稳定的特性和成熟的工艺使其在过去的设计中成为了射频工程师信赖的解决方案之一。

• 型号:HSMS-2822-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
• 电压 - 峰值反向（最大值）:15V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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HSMS-2822-TR2G是Broadcom（原Avago）推出的一款表面贴装肖特基二极管对，采用SOT-23-3封装，专为高频射频应用而优化。其核心价值在于极低的寄生参数，在0V/1MHz条件下结电容仅1pF，在5mA/1MHz条件下串联电阻为12欧姆，这确保了在高频工作状态下优异的信号保真度和最低的插入损耗。

该器件集成了两个串联的肖特基二极管，提供对称的电气特性，峰值反向电压为15V，最大正向电流1A，最高结温可达150°C，具备良好的稳定性和功率耐受性。这些参数使其非常适合于要求高频率响应和低失真度的电路设计，是射频前端关键功能模块的经典选择之一。