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HSMS-2823-TR1G的图片

HSMS-2823-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2823-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2823-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2823-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阳极连接配置,这种架构使其特别适合于需要信号平衡或高频整流的电路设计。其核心基于金属-半导体结原理,相较于传统PN结二极管,具有更低的正向压降和更快的开关速度,这为高频应用提供了关键的性能基础。

该芯片的功能特点突出体现在其射频性能上。其极低的结电容(典型值1pF @ 0V, 1MHz)是其在射频电路中保持信号完整性的关键,能有效减少高频信号在通过二极管时的损耗和畸变。同时,较低的串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz)有助于降低信号路径上的插入损耗,提升整体效率。其最大反向峰值电压为15V,最大正向电流为1A,提供了适中的功率处理能力。尽管该产品目前已处于停产状态,但在其生命周期内,它凭借稳定的性能和可靠的品质,在业界获得了广泛认可,用户可通过授权的博通代理商获取库存或替代方案咨询。

在接口与参数方面,HSMS-2823-TR1G采用标准的SOT-23-3(也称为SC-59或TO-236-3)封装,便于自动化贴装并节省PCB空间。其工作结温高达150°C,确保了在较高环境温度下的稳定运行。电气参数如低电容和低电阻,使其在特定频率(如1MHz测试条件下)的表现具有可预测性和一致性,这对于工程师进行精确的电路仿真和设计至关重要。

该器件的典型应用场景主要集中在高频信号处理领域。它常被用于射频检波、混频器中的平衡调制与解调、以及高速开关电路。例如,在通信设备的信号强度指示(RSSI)电路、UHF频段的混频器前端,或需要快速钳位保护的端口设计中,其快速响应和低损耗特性都能发挥重要作用。其共阳极结构也简化了某些需要双二极管对称工作的电路布局,是早期许多射频模块和消费电子设备中高频部分的关键元件之一。

  • 型号:HSMS-2823-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-2823-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2823-TR1G是一款采用SOT-23-3封装的表面贴装肖特基二极管对,内部集成一对共阳极配置的二极管,由安华高科技(Broadcom博通)生产。该器件针对射频应用优化,其核心优势在于极低的寄生参数,典型结电容低至1pF(0V, 1MHz),串联电阻为12欧姆(5mA, 1MHz),这使其在高频环境下能最大限度地减少信号损耗和失真,保持优异的信号完整性。

该二极管对具备15V的最大反向峰值电压和1A的最大正向电流处理能力,工作结温可达150°C,提供了可靠的电气性能和温度稳定性。这些特性使其非常适合于要求快速开关和低插入损耗的射频电路,如检波器、混频器和高速开关应用。尽管目前已停产,但其设计代表了特定时期对紧凑型射频二极管性能的典型要求。

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