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HSMS-2828-TR2G的图片

HSMS-2828-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-143-4
原厂封装:封装:SOT-143-4
优势价格,HSMS-2828-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2828-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款经典的射频肖特基二极管,HSMS-2828-TR2G采用了单桥接肖特基结的架构设计。这种结构基于金属-半导体结原理,相较于传统的PN结二极管,其具备更低的开启电压和更快的开关速度,这使其在射频信号处理中能够实现高效、低损耗的整流与检波功能。其核心优势在于对高频信号的快速响应能力,这对于维持信号完整性和降低系统噪声至关重要。

该器件在功能上表现出显著的低电容与低串联电阻特性。在0V偏压和1MHz测试频率下,其结电容典型值仅为1pF,这一极低的电容值有效减少了高频信号路径上的寄生效应,确保了在宽频带范围内的信号保真度。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻为12欧姆,较低的电阻值有助于降低信号在通过二极管时的功率损耗,提升整体电路效率。其最大反向峰值电压为15V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,赋予了器件在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

在接口与参数层面,HSMS-2828-TR2G采用了紧凑的SOT-143-4(也称为TO-253-4)表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的电路板空间,还优化了高频性能,减少了引线带来的寄生电感。其电气参数,如低电容、低串联电阻和高结温耐受性,共同定义了其在射频应用中的性能边界。尽管该器件目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定领域和现有设计中仍具参考价值,用户可通过可靠的博通一级代理渠道获取库存或替代方案咨询。

基于其优异的高频特性,该芯片典型应用于需要高效信号处理的射频前端电路。它非常适合用作微波混频器、检波器以及低功耗射频识别(RFID)系统中的信号整流单元。此外,在通信设备、测试仪器仪表以及雷达接收模块中,其快速开关和低损耗特性也使其成为实现精确信号检测与整流的理想选择,尤其在对电路尺寸和功耗有严格限制的便携式或高密度集成设备中。

  • 型号:HSMS-2828-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-143-4
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-143-4
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 个桥接
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商器件封装:SOT-143-4
  • 想获取HSMS-2828-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2828-TR2G是安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管。其核心设计旨在提供卓越的高频性能,关键参数包括在0V,1MHz下仅1pF的极低结电容,以及在5mA,1MHz下12欧姆的串联电阻,这共同确保了器件在宽频带范围内具有出色的信号保真度和低插入损耗。

该器件采用紧凑的SOT-143-4封装,支持高达150°C的结温工作,具备15V的最大反向峰值电压和1A的最大正向电流处理能力。这些特性使其成为微波混频、信号检波以及RFID等射频应用中的高效、可靠解决方案,尤其适用于对空间和性能有严苛要求的电路设计。

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