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HSMS-282B-TR2G的图片

HSMS-282B-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-282B-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282B-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-282B-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管,采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装。该器件基于成熟的金属-半导体结肖特基势垒技术构建,其核心在于利用金属与半导体接触形成的整流结,相较于传统PN结二极管,具有更低的正向导通压降和极快的开关速度。这种架构使其在射频及高频信号处理中表现出色,能够有效处理微波频段的信号,同时维持较低的功耗和热损耗。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。在0V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值低至1pF,这一特性对于维持高频电路的信号完整性至关重要,能最大限度地减少对高频信号的旁路效应和相位失真。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻仅为12欧姆,确保了信号在通过二极管时的衰减被控制在较低水平。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,提供了适中的电压和电流处理能力。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格,包括高达150°C的结温(TJ)工作能力,依然体现了其在严苛环境下的可靠性设计。

在接口与参数层面,HSMS-282B-TR2G作为一款单肖特基二极管,其引脚定义清晰,便于在SOT-323封装的标准焊盘布局上进行集成。其电气参数组合低电容、低串联电阻、适中的反向电压与电流能力共同定义了它在电路中的角色。这些参数使其非常适合用于需要快速切换和低损耗的场合。对于需要获取此类经典射频器件的设计者,可以通过专业的博通芯片代理渠道咨询库存与替代方案。

基于上述技术特性,HSMS-282B-TR2G的传统应用场景主要集中在射频前端和信号调理电路。它常被用于高频检波、混频器中的非线性元件、低功耗整流电路以及高速开关电路中。例如,在便携式通信设备、射频识别(RFID)阅读器、测试测量仪器的前端模块中,都能找到此类高性能肖特基二极管的身影,用于提取调制信号或进行频率变换,其小型化封装也契合了现代电子产品对空间紧凑性的要求。

  • 型号:HSMS-282B-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-282B-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282B-TR2G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装肖特基二极管,隶属于射频二极管系列。该器件采用SOT-323封装,专为高频应用优化,其核心优势在于卓越的高频特性与紧凑的物理尺寸。

其技术参数明确指向射频设计需求:极低的结电容(1pF @ 0V, 1MHz)确保了在高频工作下优异的信号保真度与最小化的寄生效应;同时,较低的串联电阻(12欧姆 @ 5mA, 1MHz)有助于减少信号插入损耗。器件支持15V的峰值反向电压与1A的最大电流,并能在高达150°C的结温下工作,提供了可靠的性能边界。

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