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HSMS-282C-TR1G的图片

HSMS-282C-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-282C-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282C-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-282C-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对,采用串联配置,专为高频射频信号处理应用而优化。该器件采用先进的半导体工艺,其核心架构基于金属-半导体结,相较于传统PN结二极管,具备更低的开启电压和更快的开关速度,这对于处理微波及射频信号至关重要。其串联对管结构在单一封装内集成了两个匹配的二极管,简化了电路布局,同时提升了在高频应用中的对称性和平衡性。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。极低的结电容(典型值1pF @ 0V,1MHz)是其主要优势之一,这使其在高达数GHz的工作频率下仍能保持优异的信号完整性,有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时,串联配置下的低串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA,1MHz)进一步降低了信号通路中的损耗。其反向峰值电压为15V,正向电流可达1A,结合高达150°C的结温工作能力,确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。用户可以通过Broadcom代理商获取该产品的详细技术资料与库存信息。

在接口与参数方面,HSMS-282C-TR1G采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装,非常适合高密度PCB板设计。其电气参数,如低电容和低串联电阻,使其在宽频带内具有平坦的频率响应特性。这些参数共同定义了其在射频电路中的核心作用:作为一个高效、快速的非线性元件,用于信号的检波、混频、开关和限幅。

基于上述特性,HSMS-282C-TR1G广泛应用于需要高频信号处理的领域。典型应用场景包括移动通信设备(如手机、基站)中的射频检波与功率监测模块、微波接收机前端的混频器、测试与测量仪器中的高速开关电路,以及卫星通信和雷达系统中的信号调理单元。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备和备件供应中,它仍然是一个经过验证的高性能选择。

  • 型号:HSMS-282C-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-282C-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282C-TR1G是Broadcom(原安华高)推出的一款表面贴装肖特基二极管对,采用串联配置,封装于微型SOT-323中。其核心价值在于为高频射频应用提供了优化的性能组合。

该器件的关键卖点在于其卓越的高频特性:极低的结电容(1pF @ 0V)和串联电阻(12欧姆 @ 5mA),确保在GHz频段下实现低损耗和高效率的信号处理。15V的反向峰值电压和1A的正向电流能力,配合150°C的最高结温,使其能在要求严苛的射频环境中稳定工作,适用于检波、混频及开关等关键电路功能。

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