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HSMS-282E-BLKG的图片

HSMS-282E-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-282E-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282E-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的一款高性能射频肖特基二极管,HSMS-282E-BLKG采用了一对共阳极配置的肖特基结核心架构。这种设计将两个独立的肖特基二极管集成在单一芯片上,并共享一个阳极引脚,有效优化了电路板布局空间,同时确保了两个二极管单元之间优异的高频特性匹配度。其肖特基势垒结构提供了极低的正向压降和极快的开关速度,这是实现高效射频信号处理的基础。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。在0V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值低至1pF,这一特性对于维持高频电路的信号完整性、减少寄生效应至关重要。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻仅为12欧姆,这直接转化为更低的导通损耗和更高的检波或混频效率。其峰值反向电压最大值为15V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,赋予了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。

在接口与参数方面,HSMS-282E-BLKG采用了紧凑的SC-70(SOT-323)表面贴装封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的PCB面积,还特别适合高密度组装的应用场景。其电气参数,如低结电容、低串联电阻和高结温耐受性,共同定义了一个适用于GHz频段信号处理的高性能窗口。对于需要获取此类高性能博通原装器件的开发者,可以通过专业的博通芯片代理渠道进行采购与技术支持咨询。

基于上述技术特性,HSMS-282E-BLKG非常适合于要求高灵敏度与高速度的射频应用场景。它常被用作微波混频器、平衡调制器中的核心非线性元件,利用其快速开关特性实现频率变换。同时,其低电容特性也使其成为射频信号检波、峰值检测以及高速开关电路的理想选择,广泛应用于无线通信模块、测试测量设备、雷达接收前端等高频电子系统中。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中,它依然是一个具有参考价值的高性能解决方案。

  • 型号:HSMS-282E-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-282E-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282E-BLKG是Broadcom(原安华高科技)生产的一款采用SOT-323封装的表面贴装射频肖特基二极管。该器件采用一对共阳极配置,专为需要优异高频性能的应用而设计。

其核心电气参数凸显了其在射频领域的适用性:极低的结电容(1pF @ 0V, 1MHz)确保了在高频下最小的信号损耗和失真,而较低的串联电阻(12欧姆 @ 5mA, 1MHz)则提供了高效的信号导通路径。器件支持高达15V的峰值反向电压和1A的最大电流,工作结温可达150°C,具备良好的可靠性。

这些特性使得HSMS-282E-BLKG非常适合应用于微波混频、检波、高速开关以及信号调制/解调等电路,是通信设备和测试仪器中实现高频信号处理的关键元件之一。

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