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HSMS-282F-BLKG的图片

HSMS-282F-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-282F-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282F-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-282F-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装射频肖特基二极管对。该器件采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装,内部集成了一对共阴极配置的肖特基二极管,专为高频信号处理应用而优化。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术,通过金属-半导体结实现极快的开关速度和低正向压降,这对于处理微波及射频信号至关重要。内部二极管对的共阴极连接方式为设计提供了灵活性,便于在平衡混频器、检波器或频率乘法器等电路中实现对称的信号路径。

在功能特性方面,该二极管对在0V偏压和1MHz测试频率下的典型结电容仅为1pF,这一极低的寄生电容特性使其能够工作在很高的频率下,而对信号造成的损耗和失真极小。同时,其在5mA正向电流、1MHz条件下的典型串联电阻为12欧姆,结合低电容特性,共同保证了出色的高频响应和信号完整性。器件可承受高达15V的峰值反向电压,最大正向电流为1A,并能在高达150°C的结温下可靠工作,展现了良好的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的Broadcom代理商获取相关技术支持和库存信息。

从接口与参数角度看,其SOT-323封装仅有三个引脚,清晰地对应着两个二极管的阳极和共用的阴极,便于PCB布局和焊接。关键直流与射频参数,如低结电容、适中的串联电阻和15V的反向耐压,共同定义了其在电路中的性能边界。虽然该产品目前已处于停产状态,但其参数组合在特定应用中仍具有参考价值。

该芯片的典型应用场景主要集中在需要高效高频信号处理的领域。它非常适合用于微波检波与混频电路,例如在通信接收机的前端将射频信号下变频为中频信号。此外,也可用于低功耗的射频信号功率检测、频率倍增电路,以及高速开关和钳位保护电路中。其小巧的封装尤其适合空间受限的便携式无线设备、卫星通信模块、测试测量仪器等高密度PCB设计。

  • 型号:HSMS-282F-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-282F-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282F-BLKG是Broadcom(原安华高)推出的一款SOT-323封装的射频肖特基二极管对,采用共阴极结构。其核心优势在于卓越的高频性能,典型结电容低至1pF @ 0V, 1MHz,串联电阻为12Ω @ 5mA, 1MHz,这确保了在微波频段极低的信号损耗和优异的响应速度。

该器件设计用于处理高频信号,峰值反向电压为15V,最大正向电流1A,最高工作结温达150°C,适用于要求小型化和可靠性的苛刻环境。其主要定位在于微波混频、检波、频率倍增及高速开关等射频前端应用。

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