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HSMS-282K-BLKG的图片

HSMS-282K-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-282K-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282K-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计的射频肖特基二极管对,HSMS-282K-BLKG采用了先进的隔离式双二极管架构。该架构将两个独立的肖特基结集成于同一芯片上,并通过内部隔离设计有效降低了两个二极管之间的寄生耦合与串扰,为需要高隔离度信号路径的应用提供了理想的解决方案。其核心基于金属-半导体结原理,实现了极低的正向压降和超快的开关速度,这是其在射频领域保持高性能的基础。

该器件的功能特性突出体现在其卓越的高频性能上。在0V偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1pF,这一低电容特性使其在高达数GHz的工作频率下仍能保持优异的信号完整性,对插入损耗和回波损耗的影响极小。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻低至12欧姆,这有助于降低导通损耗,提升整体电路效率。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

在接口与参数方面,HSMS-282K-BLKG采用了紧凑的6引脚SOT-363(SC-88)封装。这种微型封装不仅节省了宝贵的电路板空间,其引脚排列也优化了高频布局,便于设计匹配网络和减少引线电感。其电气参数,如低电容、低串联电阻和高结温耐受度,共同定义了一个适用于高频、高效率信号处理的清晰性能边界。用户在选择时,可通过专业的Broadcom代理商获取详细的技术资料、样品支持以及针对停产元器件的供应链解决方案。

基于上述技术特点,该器件主要面向对频率响应和信号隔离有严格要求的射频应用场景。它非常适合用于混频器、检波器、采样保持电路以及高频开关等关键电路模块。在通信设备、测试仪器、雷达系统及高速数据采集系统中,利用其快速开关和低损耗特性,可以有效提升系统的动态范围和灵敏度。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护和特定设计中,它仍然是实现高性能射频功能的重要选择之一。

  • 型号:HSMS-282K-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对隔离式
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-282K-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282K-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频肖特基二极管对,采用SOT-363微型封装。其核心卖点在于专为高频应用优化的电气性能,具备极低的结电容(1pF @ 0V, 1MHz)和串联电阻(12Ω @ 5mA, 1MHz),确保在高频信号路径中的低损耗与高信号完整性。

该器件集成了两个内部隔离的肖特基二极管,支持高达15V的峰值反向电压和1A的最大电流,工作结温可达150°C。这些参数使其成为混频、检波、高速开关等射频电路的理想选择,尤其适用于空间受限且对频率性能要求苛刻的设计方案。

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