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HSMS-282K-TR1的图片

HSMS-282K-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-282K-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282K-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频肖特基二极管,HSMS-282K-TR1采用了先进的隔离式双二极管架构。其核心在于一对相互隔离的肖特基结,这种设计允许两个二极管在同一个微型封装内独立工作,互不干扰,为电路设计提供了更高的灵活性和集成度。该架构基于金属-半导体结原理,相较于传统的PN结二极管,具有更低的正向压降和更快的开关速度,这使其在射频与高频信号处理领域表现出色。

该器件的性能特点突出体现在其高频参数上。在0V偏压和1MHz测试条件下,其结电容典型值低至1pF,这一特性对于维持高频电路的信号完整性至关重要,能有效减少因寄生电容引起的信号衰减和失真。同时,在5mA正向电流和1MHz条件下,其串联电阻仅为12欧姆,较低的导通损耗有助于提升整体电路效率。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,结合高达150°C的结温工作能力,确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

在物理实现上,HSMS-282K-TR1采用了紧凑的6引脚SOT-363(亦称SC-88或TSSOP-6)封装。这种微型表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也符合现代电子产品小型化的趋势。其引脚配置专门为隔离式双二极管优化,便于在平衡混频器、倍频器等对称电路中进行布局布线。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定领域和现有设计中仍具参考价值,工程师在选型时可咨询专业的Broadcom代理商以获取库存或替代方案建议。

基于其低电容、低电阻和快速开关的特性,该芯片非常适合应用于高频信号检波、混频以及低功耗射频开关电路中。例如,在便携式通信设备、无线传感器网络的射频前端,它可以高效地完成信号解调与频率变换任务。此外,在测试测量仪器,如频谱分析仪的信号路径中,也能利用其优良的高频特性进行精确的信号采样与处理。

  • 型号:HSMS-282K-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对隔离式
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-282K-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282K-TR1是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款射频肖特基二极管,采用隔离式双二极管设计,封装于微型的SOT-363中。其核心优势在于卓越的高频性能,典型结电容低至1pF @ 0V, 1MHz,串联电阻仅为12欧姆 @ 5mA, 1MHz,能有效最小化高频信号路径中的损耗和失真。

该器件支持15V的峰值反向电压和1A的最大电流,结温工作范围高达150°C,确保了在射频应用中的稳定性和可靠性。这些参数使其成为高频检波、混频及射频开关等电路的理想选择,尤其适用于对空间和性能有严格要求的便携式无线设备与通信模块。

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