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HSMS-282L-TR1G的图片

HSMS-282L-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-282L-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282L-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-282L-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管阵列。该器件采用紧凑的6引脚SOT-363(SC-88)封装,内部集成了三个独立的肖特基二极管单元,为高频电路设计提供了高集成度与布局灵活性。其核心架构基于成熟的肖特基势垒技术,通过金属-半导体结实现快速开关特性,特别优化了射频信号下的性能表现,确保了在GHz频段内仍能保持低损耗和高效率。

在功能特性上,该二极管阵列的突出优势在于其极低的寄生参数。在0V偏置、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1pF,这一特性对于维持高频电路的阻抗匹配和信号完整性至关重要。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其串联电阻为12欧姆,有效降低了导通状态下的功率损耗。其峰值反向电压(VRRM)为15V,最大正向电流(IF)可达1A,结合高达150°C的结温(TJ)工作能力,使其在一定的功率和温度范围内具备可靠的鲁棒性。对于需要稳定供应的项目,可以通过专业的Broadcom代理商获取库存和技术支持。

从接口与参数角度看,SOT-363封装形式非常适合高密度PCB布局,三个独立二极管为电路设计,如平衡混频器、射频开关或信号采样保持电路,提供了极大的便利。其电气参数,尤其是低电容和低串联电阻的组合,直接决定了它在高频应用中的性能上限,使其能够胜任对信号衰减和波形失真要求严苛的场合。

该器件典型的应用场景集中在射频与微波领域。它常被用于UHF至微波频段的检波、混频和低功耗开关电路中,例如在无线通信模块、卫星接收前端、测试测量设备以及雷达系统中作为关键的无源非线性元件。其快速恢复特性和低寄生参数使其在高速脉冲整形和信号采样电路中也能发挥作用。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设备维护和特定设计延续中,它仍然是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:HSMS-282L-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 3 个独立式
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-282L-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282L-TR1G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管阵列,采用SOT-363封装,内部集成三个独立单元。其核心设计旨在满足高频应用对低寄生参数的苛刻要求。

该器件在0V偏置下结电容低至1pF @ 1MHz,串联电阻为12欧姆 @ 5mA, 1MHz,这确保了其在UHF及微波频段内具有优异的信号完整性与低插入损耗。15V的峰值反向电压与1A的最大正向电流,结合150°C的最高结温,为其在射频检波、混频及高速开关电路中的稳定工作提供了保障。

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