HSMS-282N-TR1G

在射频信号处理与高频电路中，HSMS-282N-TR1G是一款采用肖特基势垒技术的表面贴装二极管阵列。其核心架构由两对独立的肖特基二极管以共阳极形式集成于单一芯片之上，这种设计在紧凑的物理空间内实现了多路信号的并行处理或平衡配置能力，为电路布局提供了高度的灵活性并有效节省了PCB面积。该器件基于安华高科技（现为Broadcom博通）成熟的半导体工艺制造，确保了在射频应用中的稳定性和一致性。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的高频性能上。其极低的结电容（典型值1pF @ 0V， 1MHz）是保障其在UHF乃至更高频段下保持低信号损耗和良好隔离度的关键，使得信号能够以最小的失真通过。同时，在正向电流为5mA、1MHz条件下，其串联电阻仅为12欧姆，这有助于降低导通压降和功率损耗，提升整体电路效率。其峰值反向电压为15V，最大正向电流为1A，结合高达150°C的结温工作能力，赋予了其在多种工作条件下的可靠性与耐用性。用户可通过博通授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与参数方面，该器件采用标准的6引脚SOT-363（SC-88， TSSOP-6）封装，兼容自动化表面贴装生产线，便于大规模集成。其电气参数，如低电容、低串联电阻和高截止频率，共同定义了它在射频领域的应用边界。这些参数使其特别适合于要求快速开关和低损耗的小信号处理场景。

基于上述特性，HSMS-282N-TR1G典型的应用场景广泛覆盖了通信与测量领域。它常被用于混频器、检波器、采样保持电路以及高频开关电路中，作为核心的非线性元件。在便携式无线设备、卫星通信前端、测试仪器及雷达模块中，都能发现其用于信号解调、频率转换或逻辑控制功能。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统维护和特定设计项目中，它仍然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:HSMS-282N-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 2 对共阳极
• 电压 - 峰值反向（最大值）:15V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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HSMS-282N-TR1G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款表面贴装射频肖特基二极管阵列。该器件集成了两对共阳极配置的肖特基二极管于微型的SOT-363封装内，专为高频、小信号应用而优化。

其核心优势在于卓越的高频特性：在0V偏压和1MHz条件下，结电容低至1pF，确保了在高频段出色的信号完整性与低损耗；同时，在5mA正向电流下仅12欧姆的串联电阻，有效降低了导通压降。这些参数使其非常适用于UHF及以上频段的混频、检波和高速开关电路。

该器件支持高达150°C的结温工作，峰值反向电压为15V，为射频前端设计提供了可靠的性能基础，常见于通信设备与测试仪器中。