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HSMS-2850-TR2G的图片

HSMS-2850-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2850-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2850-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2850-TR2G是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管,隶属于其射频二极管系列。该器件采用单管芯肖特基架构,其核心在于利用金属-半导体结形成的肖特基势垒,相较于传统PN结二极管,具有更低的开启电压和更快的开关速度。这种结构特性使其在射频信号处理中,能够实现高效的高频整流与检波,同时将电荷存储效应降至最低,从而保证了信号响应的快速与精准。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。其反向峰值电压(VR)最大值为2V,适用于低电压信号环境。在1V反向偏压、1MHz测试条件下,其结电容(Cj)典型值仅为0.3pF,极低的寄生电容是其在射频电路中保持优异性能的关键,能有效减少对高频信号的衰减和相位畸变,确保信号完整性。此外,其最高结温(TJ)可达150°C,提供了在较高环境温度下稳定工作的可靠性保障。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的博通芯片代理获取相关产品信息与技术支持。

在物理接口与封装方面,HSMS-2850-TR2G采用行业标准的SOT-23-3封装(亦称为TO-236-3或SC-59),这种微型三引脚封装极大地节省了电路板空间,非常适合于高密度贴装应用。其紧凑的尺寸与优异的射频特性相结合,使其成为空间受限的便携式或模块化设备的理想选择。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在特定存量市场或对经典方案有需求的场合中仍具参考价值。

基于其低电容、快速开关的特性,HSMS-2850-TR2G典型应用于射频检波、混频器、低功耗整流以及信号采样保持电路等领域。例如,在无线通信设备的信号强度指示(RSSI)电路、UHF频段的混频器前端,或是需要高频整流的能量收集模块中,该器件都能发挥关键作用。其设计平衡了性能、尺寸与成本,是工程师在实现高频、小型化电路设计时曾广泛考虑过的经典射频二极管解决方案之一。

  • 型号:HSMS-2850-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):2V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 1V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-2850-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2850-TR2G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装肖特基二极管,专为射频应用优化。其核心优势在于极低的结电容,在1V@1MHz条件下典型值仅为0.3pF,这确保了在高频环境下出色的信号保真度和最小的插入损耗。

该器件采用紧凑的SOT-23-3封装,适用于高密度PCB布局,最大反向峰值电压为2V,最高工作结温达150°C,提供了在紧凑空间和一定温度范围内的可靠运行能力。这些特性使其非常适合于射频检波、混频及高速开关等关键电路模块。

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