HSMS-285C-TR2G

HSMS-285C-TR2G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置集成于微型SOT-323（SC-70）封装内。该器件专为高频信号处理而优化，其核心架构基于肖特基势垒结，这种结型相较于普通PN结二极管，具有更低的正向导通电压和更快的开关速度，使其在射频与微波电路中表现出色。其内部集成的两个二极管以串联形式连接，这种结构有助于在特定应用电路中简化布局，提升匹配性能，并增强对瞬态电压的耐受能力。

该器件的一个突出功能特点是其极低的结电容，在1V反向偏压和1MHz测试条件下，典型值仅为0.3pF。这一特性对于维持高频信号的完整性至关重要，因为它能最大限度地减少对信号路径的加载效应和信号损耗，确保在GHz频段范围内仍能保持优良的射频性能。同时，其峰值反向电压（VRWM）为2V，适用于低电压摆幅的信号处理环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计代表了在微型化封装内实现高性能射频特性的经典方案，对于仍在维护或设计相关系统的工程师而言，其技术参数仍具有重要参考价值。通过博通中国代理等渠道，用户仍可获取相关的技术资料与库存信息，以支持现有项目的持续运行。

在接口与参数方面，HSMS-285C-TR2G采用三引脚的SOT-323封装，为标准的表面贴装器件（SMD），便于自动化贴装并节省电路板空间。其工作结温（TJ）高达150°C，提供了较宽的工作温度范围，增强了在苛刻环境下的可靠性。虽然其数据手册中未明确标定最大连续正向电流和功率耗散，但作为典型的肖特基射频二极管，其设计焦点在于高频开关特性与低损耗，而非大功率处理能力。这些参数共同定义了它在电路中的角色一个高速、低损耗的射频开关、检波或混频元件。

在应用场景上，HSMS-285C-TR2G典型应用于需要高频精密处理的领域。例如，在通信设备的射频前端，它可用于信号检波、低功率混频或高速开关电路；在测试与测量仪器中，可用于采样保持或峰值检测电路；此外，在各类射频识别（RFID）读写器、卫星接收模块等对器件尺寸和频率响应有严格要求的便携式或高密度电子设备中，也能找到其用武之地。其微型封装和优异的射频特性使其成为早期许多紧凑型高频设计中的优选器件。

• 型号:HSMS-285C-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
• 电压 - 峰值反向（最大值）:2V
• 电流 - 最大值:-
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 1V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
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HSMS-285C-TR2G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置，封装于微型SOT-323中。该器件专为高频应用设计，其核心优势在于极低的寄生参数，在1V反向偏压下的结电容典型值仅为0.3pF，这使其在高达GHz的射频范围内能有效减少信号损耗和失真，保持优异的频率响应特性。

器件具有2V的峰值反向电压和高达150°C的工作结温，适用于低电压摆幅、要求一定环境耐受性的射频电路。其紧凑的封装形式非常适合高密度PCB布局，曾广泛应用于射频信号检波、混频、开关以及各类便携式通信设备的射频前端模块中，是实现电路微型化与高性能化的经典解决方案之一。