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HSMS-285Y-TR1G的图片

HSMS-285Y-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOD-523
原厂封装:封装:SOD-523
优势价格,HSMS-285Y-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-285Y-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-285Y-TR1G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的肖特基势垒射频二极管,采用紧凑的SOD-523(SC-79)封装。该器件基于成熟的肖特基结半导体工艺,其核心架构旨在实现极低的结电容和快速开关特性,这对于维持高频信号的完整性至关重要。其单管芯设计简化了内部结构,减少了寄生参数,使其在射频信号路径中引入的损耗和相位失真降至最低。

该二极管的核心功能特点在于其卓越的高频性能。它在1V反向偏压、1MHz测试条件下的典型结电容仅为0.3pF,这一极低的电容值使其能够广泛应用于GHz级别的射频电路中,如混频器、检波器和低功耗开关。其峰值反向电压为2V,适用于低电压信号处理环境。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格和性能指标在特定应用领域仍具有参考价值,用户可通过博通中国代理等渠道咨询库存或替代方案信息。

在接口与参数方面,HSMS-285Y-TR1G采用标准的双引脚SOD-523表面贴装封装,便于自动化贴装并节省PCB空间。其工作结温高达150°C,确保了在较高环境温度下的可靠性。关键的射频参数,如极低的结电容,直接决定了其在电路中的可用频率上限和信号保真度。这些参数共同定义了一个适用于高频、小信号场景的半导体开关或非线性元件。

典型的应用场景主要集中在需要高频信号处理的领域。凭借其低电容和肖特基二极管固有的低开启电压特性,它非常适合用于微波检波、射频信号峰值检测、低损耗开关以及低本振驱动的混频器等电路中。在便携式无线设备、测试测量仪器及通信模块的射频前端,此类器件常被用于信号采样、功率监测或简单的逻辑控制功能,是实现电路功能微型化和高性能化的重要组件之一。

  • 型号:HSMS-285Y-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 2V SOD-523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):2V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 1V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • 想获取HSMS-285Y-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-285Y-TR1G是Broadcom(原Avago)推出的一款表面贴装肖特基射频二极管,采用SOD-523封装。其设计核心在于优化高频性能,典型结电容低至0.3pF @ 1V,1MHz,这使其能够有效工作在GHz频段,最大限度地减少对射频信号路径的加载效应和失真。

该器件提供2V的峰值反向电压,并支持高达150°C的工作结温,适用于低电压、高环境温度要求的射频应用。其主要功能定位为高频小信号处理,如检波、混频与开关,是紧凑型射频前端设计的常用元件。需注意,该产品目前已停产。

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