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HSMS-2862-TR1的图片

HSMS-2862-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2862-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2862-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2862-TR1是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-23-3封装。该器件内部集成了两个串联的肖特基二极管,这种架构使其在射频信号处理中能够提供极低的结电容快速的开关响应。串联配置有助于在特定应用,如倍频器或平衡混频器中,实现更好的端口隔离和信号处理性能。其核心设计目标是在高频环境下维持信号的完整性,同时将寄生参数的影响降至最低。

该芯片的功能特点突出表现在其射频性能上。在零偏压、1MHz测试条件下,其典型结电容仅为0.3pF,这一特性对于工作在UHF乃至更高频段的电路至关重要,能有效减少对高频信号的旁路损耗,提升系统带宽。其峰值反向电压为4V,适用于低电压摆幅的射频信号环境。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计代表了特定时期对高性能、小型化射频元器件的需求,其技术参数和封装形式至今仍在许多现有设计和备件供应中具有参考价值。对于需要此类特定规格元器件的项目,通过可靠的博通授权代理渠道获取原装或可替代的库存产品是确保设计一致性与可靠性的关键。

在接口与参数方面,HSMS-2862-TR1采用标准的SOT-23-3(亦称SC-59或TO-236-3)封装,便于自动化贴装,适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C,提供了较宽的温度适应范围,增强了在复杂环境下的应用鲁棒性。主要电气参数,如低结电容和4V的反向耐压,共同定义了其在电路中的角色一个对高频信号扰动极小、适用于低压处理的非线性元件。

基于其技术特性,HSMS-2862-TR1典型应用场景集中在射频前端和信号调理领域。它常被用于微波检波、低功耗混频、频率倍增以及高速开关电路中。例如,在便携式通信设备、射频识别(RFID)读写器模块或测试测量仪器的信号链中,利用其非线性特性进行信号检测或频率变换。其小型化封装也使其非常适合对空间有严格限制的现代消费电子和物联网设备模块。

  • 型号:HSMS-2862-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):4V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-2862-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2862-TR1是一款采用SOT-23-3封装的表面贴装肖特基二极管对,由安华高科技(Broadcom博通)生产。其核心设计针对射频应用,内部两个二极管串联的架构有助于在高频电路中实现良好的性能。

该器件的关键卖点在于其优异的射频特性,在0V偏压和1MHz条件下,典型结电容低至0.3pF,这确保了在高频工作时的低信号损耗和宽带宽。4V的峰值反向电压使其适用于低电压射频信号处理环境。高达150°C的结温额定值提供了可靠的工作温度范围。

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