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HSMS-2862-TR1G的图片

HSMS-2862-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2862-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2862-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款经典的射频肖特基二极管对,HSMS-2862-TR1G采用串联配置的单片集成结构,将两个高性能肖特基结集成于同一芯片上。这种设计不仅确保了器件参数的高度匹配性和温度一致性,还显著减少了传统分立元件方案所需的PCB面积和寄生效应,为高频电路设计提供了更优的集成度与可靠性。其核心架构基于成熟的半导体工艺,旨在实现极低的结电容和串联电阻,这是决定射频信号处理性能的关键因素。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的高频特性上。在0V偏置、1MHz测试条件下,其典型结电容仅为0.3pF,这一极低的电容值使其在高达数GHz的射频范围内仍能保持优异的信号完整性,有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时,其内部串联的肖特基结具备快速开关特性,非常适合用于高频检波、混频和低功耗开关应用。其峰值反向电压为4V,适用于低电压工作环境,而高达150°C的结温(TJ)则保证了其在宽温范围内的稳定工作能力。

在接口与参数方面,HSMS-2862-TR1G采用标准的SOT-23-3表面贴装封装(亦称TO-236-3或SC-59),这种小型化封装便于自动化生产并满足现代电子设备对空间紧凑性的要求。其电气参数,特别是极低的结电容和优化的串联结构,使其在VHF至微波频段的阻抗匹配网络中表现优异。用户在选择时,可通过正规的博通授权代理渠道获取原厂技术资料与支持,以确保设计方案的准确性。需要注意的是,该器件目前处于停产状态,在新设计中需评估替代方案或库存供应。

基于其技术特性,该芯片广泛应用于对高频性能有苛刻要求的场景。典型应用包括移动通信设备、卫星接收模块、无线局域网(WLAN)设备中的射频信号检波与功率监测电路。其低电容特性也使其非常适合用于高频采样保持电路、脉冲整形以及低损耗射频开关设计。在测试与测量仪器领域,如频谱分析仪和标量网络分析仪的前端,它常被用作灵敏度的检波元件,其快速响应和良好的温度稳定性是保障测量精度的基础。

  • 型号:HSMS-2862-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):4V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-2862-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2862-TR1G是安华高科技(现属Broadcom博通)推出的一款射频肖特基二极管对,采用单片集成的串联结构。其核心优势在于极低的结电容(典型值0.3pF @ 0V, 1MHz)和紧凑的SOT-23-3封装,专为高频应用优化设计。

该器件支持高达150°C的结温工作,峰值反向电压为4V,适用于VHF至微波频段的射频电路。其主要功能定位为高频检波、混频及低功耗开关,能够有效处理GHz级别的信号,同时保持出色的信号完整性和快速响应特性。

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