HSMS-286K-TR1G

HSMS-286K-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用紧凑的SOT-363（SC-88）封装。该器件内部集成了两个电气隔离的肖特基二极管，这种隔离式设计有效减少了两个二极管之间的寄生耦合，使其特别适合于需要高隔离度的平衡混频器、倍频器以及射频开关等电路拓扑。其核心半导体结构基于金属-半导体结，实现了极低的正向压降和超快的开关速度，这是其在射频领域得以广泛应用的基础。

该二极管对的关键电气特性使其在GHz频段表现出色。在0V偏置、1MHz测试条件下，其结电容（Cj0）典型值仅为0.25pF，这一极低的寄生电容是保证高频性能的核心，能显著减少对高频信号的衰减和相位失真，确保电路在宽频带内保持平坦的响应。同时，其峰值反向电压（VRRM）为4V，适用于低电压摆幅的射频信号处理环境。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统和备件市场中仍有一席之地，工程师在选型时可通过专业的Broadcom代理商获取库存或替代建议。

在接口与参数方面，该器件采用6引脚TSSOP封装，两个二极管独立引出，为电路板布局提供了灵活性。其工作结温（TJ）高达150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。极低的结电容与隔离结构相结合，直接转化为优异的射频性能指标，如高隔离度和低插入损耗。

基于上述特性，HSMS-286K-TR1G典型应用于微波通信设备、卫星接收LNB（低噪声下变频器）、测试仪器中的检波与采样电路，以及高达数GHz的混频器设计。其在平衡混频器架构中，能有效抑制本振泄漏，提高动态范围；在低功耗检波器中，其肖特基结的低开启电压特性可实现高灵敏度的信号检测。这款器件是早期和现有许多射频前端模块中实现关键非线性功能的经典选择。

• 型号:HSMS-286K-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT-363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 1 对隔离式
• 电压 - 峰值反向（最大值）:4V
• 电流 - 最大值:-
• 不同Vr、F 时电容:0.25pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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HSMS-286K-TR1G是Broadcom（原Avago）推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对，采用SOT-363微型封装。该器件的核心价值在于其极低的结电容（0.25pF @ 0V, 1MHz）和内部两个二极管的电气隔离设计，这使其能够在高频至微波频段实现优异的信号处理性能。

其4V的峰值反向电压和高达150°C的工作结温，满足了低电压、高可靠性射频应用的需求。尽管已停产，它仍是微波混频、倍频、检波以及高速开关等关键电路中的经典元件，尤其注重在高频下的低损耗和高隔离度表现。