5082-2835#T50

5082-2835#T50是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的轴向封装肖特基二极管。该器件采用成熟的金属-半导体结肖特基势垒结构，利用多数载流子导电机制，从根本上避免了传统PN结二极管中少数载流子存储效应带来的开关延迟。其核心在于优化的半导体材料和势垒金属界面处理工艺，确保了在低正向压降与低反向漏电流之间取得优异平衡，为高频和快速开关应用提供了理想的单向导通与钳位解决方案。

该二极管的核心优势体现在其卓越的高频特性与快速开关性能上。得益于肖特基结构，器件在0V偏压、1MHz测试条件下仅具有1pF的极低结电容，这使其对电路的高频响应影响微乎其微，非常适合射频信号处理和高频检波电路。同时，其最大峰值反向电压（VRRM）为8V，最大正向整流电流（IF(AV)）为10mA，额定参数明确，为低电压、小电流的精密模拟或数字接口保护场景提供了可靠保障。其最大功耗为150mW，在紧凑设计中也能保持良好的热稳定性。

在物理实现上，5082-2835#T50采用了经典的DO-35（DO-204AH）轴向玻璃封装。这种封装形式不仅提供了良好的气密性和环境稳定性，其紧凑的尺寸和明确的极性标识也便于在通孔印刷电路板（PCB）上进行手工或自动插装，为工程师在原型设计或量产中提供了高度的布局灵活性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，通过正规的博通一级代理进行采购是确保产品正宗与供货可靠的关键。

基于其低电容、快速开关和稳定的低电压特性，此器件广泛应用于需要高频性能与信号完整性的领域。典型应用包括VHF/UHF频段的射频检波与混频电路、高速数据采集系统中的输入信号钳位保护、以及精密仪器仪表中用于防止信号反向的隔离环节。其小电流处理能力也使其成为低功耗便携设备中电源路径管理和逻辑电平转换电路的理想选择。

• 型号:5082-2835#T50
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 8V 150MW
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:8V
• 电流 - 最大值:10 mA
• 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:150 mW
• 工作温度:-60°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
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5082-2835#T50是Broadcom（原Avago）推出的一款轴向封装肖特基二极管。该器件专为要求高频性能和快速开关速度的应用而设计，其核心卖点是在1MHz频率、0V偏压下仅1pF的极低结电容，能最大程度减少对高速信号路径的负载影响。

器件额定参数明确，提供8V的峰值反向电压保护和10mA的最大正向电流处理能力，最大功耗为150mW，平衡了性能与可靠性。采用标准的DO-35（DO-204AH）玻璃轴向封装，便于电路板布局与安装，适用于射频电路、高速接口保护及各类小信号处理场景。