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BROADCOM
5082-3077#T50的图片

5082-3077#T50

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 200V 250MW
原厂封装:封装:-
优势价格,5082-3077#T50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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5082-3077#T50的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的通用型PIN二极管,5082-3077#T50采用了经典的PIN结构。其核心在于一个宽的本征(I)区夹在P型和N型半导体之间,这种结构在高频下表现出独特的电学特性。当处于零偏或反偏状态时,本征区能够有效耗尽,形成极低的结电容,使其在高频开关和射频电路中扮演关键角色;而在正向偏置时,本征区则注入大量载流子,呈现为一个受电流控制的可变电阻,这一特性被广泛应用于衰减和调制电路。

该器件在射频与微波领域展现出卓越的性能。其极低的结电容(0.3pF @ 50V, 1MHz)是核心优势之一,这确保了在高达数百兆赫兹乃至吉赫兹频段工作时,由器件本身引入的信号损耗和相位失真被降至最低,从而维持了系统的高频响应和信号完整性。同时,在正向偏置下,它具备良好的线性电阻特性(1.5欧姆 @ 100mA, 100MHz),使其能够作为高效、可控的射频电阻使用。高达200V的峰值反向电压和100mA的最大正向电流,为其在多种信号电平环境下提供了可靠的工作余量,而250mW的最大功耗则定义了其适用的功率范围。

在接口与参数方面,5082-3077#T50采用了经典的DO-35(DO-204AH)轴向玻璃封装。这种封装形式不仅提供了良好的气密性和环境稳定性,其微小的尺寸也便于在紧凑的电路板上进行布局,尤其适合需要高密度安装的射频模块。其电气参数经过精心优化,在电容、电阻、耐压与电流能力之间取得了平衡,使其成为一个通用性极强的射频控制元件。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过专业的博通芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述技术特性,该二极管非常适合应用于需要高速、低损耗信号控制的场景。在通信系统中,它常被用于射频开关、衰减器和限幅器的设计,实现信号路径的快速切换与幅度精密调整。在测试测量设备如频谱分析仪和矢量网络分析仪中,它可用于构建自动增益控制(AGC)电路或可编程衰减模块。此外,在电视调谐器、CATV设备以及一些军用电子系统的射频前端,也能见到其作为关键控制元件的身影,为系统提供稳定可靠的高频信号处理能力。

  • 型号:5082-3077#T50
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 200V 250MW
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):200V
  • 电流 - 最大值:100 mA
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
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5082-3077#T50是Broadcom(原安华高)推出的一款通用型PIN二极管,采用DO-35轴向封装。其核心设计针对射频与微波控制应用,在50V偏压下仅提供0.3pF的极低结电容,确保了在高频工作条件下的优异信号通过性。

该器件具备200V的峰值反向电压耐受能力和100mA的最大正向电流,参数设计均衡可靠。在正向偏置时,其表现为一个可控的线性电阻(典型值1.5欧姆 @ 100mA),结合低电容特性,使其成为构建射频开关、可调衰减器及限幅器等电路的理想选择,广泛应用于通信、测试测量及广播接收设备的高频前端。

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