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AFBR-S4N44P163的图片

AFBR-S4N44P163

博通(BROADCOM)图标
传感器,变送器 > 光学传感器 > 光电二极管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:SENSOR PHOTODIODE 420NM ARRAY
原厂封装:封装:
优势价格,AFBR-S4N44P163的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AFBR-S4N44P163的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)推出的AFBR-S4N44P163是一款专为高灵敏度紫外光探测设计的光电二极管阵列传感器。该器件采用先进的雪崩光电二极管(APD)架构,在PN结上施加高反向偏压,使光生载流子在强电场下发生雪崩倍增效应,从而获得远高于普通PIN光电二极管的内生增益。这种设计使其在微弱光信号条件下,尤其是目标420nm紫外波段,能够实现出色的信噪比和探测灵敏度。

该传感器的核心功能特性围绕其紫外增强能力展开。其光谱响应范围覆盖300nm至900nm,并在420nm波长处进行了针对性优化,对紫外线,特别是UVA波段具有卓越的响应度。其有效感光面积达到13.8mm,为捕获更多光子提供了物理基础。在电气特性上,器件典型暗电流低至500nA,这有助于降低系统本底噪声,提升检测精度;其最大直流反向电压(Vr)为26.9V,为APD工作提供了必要的偏置条件。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Broadcom代理商获取原厂技术支持与供货保障。

在接口与物理规格方面,AFBR-S4N44P163采用表面贴装(SMT)封装,便于集成到现代自动化生产线上的各类PCB板中。其工作温度范围为-20°C至50°C,确保了在多种工业与商业环境下的稳定运行。这些参数共同定义了一个易于集成、性能稳定的硬件前端。

基于其技术特点,AFBR-S4N44P163非常适合应用于对紫外光敏感度要求极高的领域。例如,在荧光检测与分析设备中,用于激发光信号的探测;在火焰探测与紫外线指数监测系统中,作为关键的传感元件;也可集成于水质分析或化学物质检测仪器,用于特定波长的光谱分析。其阵列形式为多通道同步检测或光斑位置感知提供了可能,进一步拓展了在精密光学测量和自动化检测设备中的应用潜力。

  • 型号:AFBR-S4N44P163
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:
  • 类目:传感器,变送器 > 光学传感器 > 光电二极管
  • 描述:SENSOR PHOTODIODE 420NM ARRAY
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 波长:420nm
  • 颜色 - 增强:紫外线(UV)
  • 频谱范围:300nm ~ 900nm
  • 二极管类型:雪崩
  • 不同 nm 时响应度:-
  • 响应时间:-
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):26.9 V
  • 电流 - 暗(典型值):500nA
  • 有效面积:13.8mm
  • 视角:-
  • 工作温度:-20°C ~ 50°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:阵列 - 16 元件
  • 想获取AFBR-S4N44P163的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AFBR-S4N44P163是Broadcom(原安华高)推出的一款表面贴装型紫外增强光电二极管阵列传感器。该器件采用雪崩二极管(APD)技术,在420nm波长处具有优化响应,其宽光谱探测范围覆盖300nm至900nm。

其核心优势在于高灵敏度与低噪声。13.8mm的有效感光面积结合低至500nA的典型暗电流,使其能够有效捕获并转换微弱的紫外光信号。26.9V的最大反向工作电压为其APD结构提供了必要的工作点。这些特性使其成为荧光检测、紫外线监测及光谱分析等应用的理想选择。

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