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AT-42085G的图片

AT-42085G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC
原厂封装:封装:85 塑料
优势价格,AT-42085G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AT-42085G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

安华高科技(现隶属于Broadcom博通)推出的AT-42085G是一款高性能的NPN硅双极结型射频晶体管,采用先进的半导体工艺制造,专为要求苛刻的高频应用而设计。其核心架构基于优化的外延层和电极结构,旨在实现高截止频率与低噪声特性之间的最佳平衡,为射频信号链的前端放大提供了可靠的基础。

该器件的显著特性在于其高达8GHz的跃迁频率,这使其能够稳定工作在C波段及以下频段。其噪声性能表现优异,在2GHz至4GHz频段内,典型噪声系数介于2dB至3.5dB之间,这对于接收机前端低噪声放大器(LNA)的设计至关重要,能有效提升系统的接收灵敏度。同时,AT-42085G提供了9.5dB至13.5dB的功率增益,确保了信号的有效放大。其集电极-发射极击穿电压最大值为12V,最大集电极电流为80mA,在35mA、8V工作点下的直流电流增益(hFE)最小值为30,这些参数共同定义了其线性和动态工作范围。

在接口与封装方面,AT-42085G采用紧凑的4引脚表面贴装(SMD)塑料封装,封装代号为85,非常适合现代高密度PCB布局。其最高结温(Tj)可达150°C,最大功耗为500mW,展现了良好的热稳定性和可靠性。对于需要稳定供应链和深度技术支持的客户,通过官方授权的博通一级代理进行采购是确保产品来源可靠并获得完整技术文档的有效途径。

基于其综合性能,AT-42085G非常适用于点对点无线电、卫星通信终端、蜂窝基础设施以及测试测量设备中的射频放大级。它常被用于驱动级放大器、低噪声放大器和振荡器电路,是构建高性能微波模块的关键元件之一。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和已验证的性能使其在特定存量项目和传统系统升级中仍具参考价值。

  • 型号:AT-42085G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:85 塑料
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
  • 描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):12V
  • 频率 - 跃迁:8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • 增益:9.5dB ~ 13.5dB
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 35mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80mA
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-SMD(85 塑料)
  • 供应商器件封装:85 塑料
  • 想获取AT-42085G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

AT-42085G是安华高科技(Broadcom博通)生产的一款NPN射频双极晶体管,采用表面贴装封装。其核心优势在于高达8GHz的跃迁频率和优异的低噪声特性,在2-4GHz频段典型噪声系数低至2-3.5dB,同时提供9.5-13.5dB的增益,非常适合高频低噪声放大应用。

该器件额定集射极电压12V,最大功耗500mW,工作结温高达150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。其紧凑的4-SMD塑料封装(85型)适合高密度电路板设计,主要面向通信基础设施、卫星通信及测试仪器等领域的射频前端电路。

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