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HCPL-3140-060E的图片

HCPL-3140-060E

博通(BROADCOM)图标
隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
原厂封装:封装:8-DIP
优势价格,HCPL-3140-060E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HCPL-3140-060E的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款采用光学耦合技术的单通道栅极驱动器,HCPL-3140-060E的核心架构基于安华高科技(现为Broadcom博通)成熟的光电隔离方案。其内部集成了一个高效率的AlGaAs LED,通过光学介质与一个集成了光电探测器和功率输出级的集成电路进行信号耦合,从而在输入与输出之间建立起坚固的电气隔离屏障。这种架构确保了信号在高压与低压电路之间传输时的高可靠性与安全性,是工业与电力电子系统中实现安全控制的关键。

该器件提供了卓越的电气隔离性能,其隔离电压高达3750Vrms,能够有效抵御系统内的高压冲击。同时,其共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值达到25kV/s,这意味着即使在功率开关动作引起的剧烈地电位波动环境下,器件也能稳定工作,避免误触发,确保了系统的鲁棒性。其输出级设计强劲,可提供高达400mA的源电流与灌电流,峰值输出电流能力更达到600mA,能够直接驱动大多数IGBT和MOSFET功率开关,简化了外围驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面,HCPL-3140-060E具有快速的动态响应特性,典型上升与下降时间仅为50ns,最大传播延迟为700ns,这有助于实现功率开关的高频、精确控制,并降低开关损耗。其输出侧供电电压范围宽达10V至30V,为驱动不同电压等级的功率器件提供了灵活性。输入侧采用标准的LED驱动接口,正向电压典型值为1.5V,最大正向电流为25mA,易于与常见的控制器(如MCU、DSP)接口。器件采用标准的8引脚DIP通孔封装,便于在原型开发与现有系统中进行安装与焊接,其宽工作温度范围(-40°C至100°C)也保证了其在严苛工业环境下的适用性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的博通中国代理获取此型号产品及相关技术支持。

基于其高隔离电压、强抗干扰能力和强大的输出驱动特性,HCPL-3140-060E非常适合应用于对安全性与可靠性要求极高的场景。典型应用包括工业电机驱动与变频器中的IGBT/MOSFET栅极驱动、不同断电源(UPS)和太阳能逆变器等功率转换系统、以及需要电气隔离的开关电源和工业自动化控制设备。它在这些应用中扮演着桥梁角色,安全地将低压控制信号传递至高压功率侧,是实现高效、安全能量控制的核心组件之一。

  • 型号:HCPL-3140-060E
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:8-DIP
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:光学耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:3750Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/s
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):700ns,700ns
  • 脉宽失真(最大):-
  • 上升/下降时间(典型值):50ns,50ns
  • 电流 - 输出高、低:400mA,400mA
  • 电流 - 峰值输出:600mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.5V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):25 mA
  • 电压 -输出供电:10V ~ 30V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 100°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:8-DIP
  • 认证机构:CSA,IEC/EN/DIN,UR
  • 想获取HCPL-3140-060E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HCPL-3140-060E是Broadcom(原安华高科技)推出的一款单通道、光学耦合的栅极驱动器,采用8-DIP封装。该器件设计用于提供坚固的电气隔离与强大的驱动能力,其核心特性包括高达3750Vrms的隔离电压和最低25kV/s的共模瞬变抗扰度,确保在高压噪声环境下的信号完整性与系统安全。

器件具备快速的开关性能,典型上升/下降时间为50ns,最大传播延迟为700ns,支持高频开关操作。其输出级可提供400mA的连续源电流与灌电流,峰值电流达600mA,能够直接高效驱动IGBT和MOSFET。宽输出供电电压范围(10V至30V)与宽广的工作温度范围(-40°C至100°C)进一步增强了其在工业电机驱动、电源转换和逆变器等严苛应用中的适用性与可靠性。

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