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HSMP-3816-TR1G的图片

HSMP-3816-TR1G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-25-5
原厂封装:封装:SOT-25-5
优势价格,HSMP-3816-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-3816-TR1G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款高性能射频PIN二极管,HSMP-3816-TR1G采用了先进的半导体工艺,其核心架构基于一个优化的PIN结。该结构在P型和N型半导体区域之间,精确地设计了一个本征(I)区,这一区域是实现其卓越射频性能的关键。本征区的存在使得器件在正向偏置时能够存储大量电荷,从而在射频信号控制方面表现出极低的失真和快速的开关响应,特别适用于需要高线性度和快速调制的电路环境。

该器件的功能特点十分突出,其在50V反向偏压、1MHz测试条件下的结电容低至0.35pF,这一极低的电容值确保了在高达数GHz的射频频率下,器件对信号路径的插入损耗影响微乎其微,有效保持了信号的完整性。同时,在100mA正向电流、100MHz条件下的串联电阻仅为3欧姆,这赋予了它优异的导通状态性能,能够高效地传输射频功率。结合其高达100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,博通中国代理提供的这款器件在苛刻的射频环境中展现出强大的鲁棒性和可靠性。

在接口与参数方面,HSMP-3816-TR1G采用紧凑的SC-74A(SOT-753)表面贴装封装,便于高密度PCB布局。其内部集成了两个独立的PIN二极管单元,构成一个共阳极(CA)和一个共阴极(CC)的配置,为设计人员提供了灵活的电路连接选项,可用于构建平衡式或推挽式电路拓扑。器件的工作结温高达150°C,确保了其在高温环境下的稳定运行,满足工业级应用的需求。

基于上述技术特性,HSMP-3816-TR1G非常适合应用于对性能要求严苛的射频前端模块。其主要应用场景包括蜂窝基站、微波通信系统中的射频开关和衰减器,在这些应用中,其低电容和高开关速度是实现高隔离度和精确信号控制的基础。此外,它也常用于有线电视(CATV)设备、测试仪器仪表中的信号路径选择与调制,以及需要高性能PIN二极管的各种军用和民用射频系统中。

  • 型号:HSMP-3816-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-25-5
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-25-5
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 2 对 CA + CC
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.35pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装:SOT-25-5
  • 想获取HSMP-3816-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3816-TR1G是安华高科技(现Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-753封装。其核心卖点在于极低的结电容(0.35pF @ 50V, 1MHz)和串联电阻(3Ω @ 100mA, 100MHz),这使其在射频开关和衰减器应用中能实现优异的信号完整性与低插入损耗。

该器件具备100V的高峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,确保了在高压、大信号环境下的可靠工作。其双二极管(共阳极与共阴极)的集成设计为射频电路布局提供了灵活性,而高达150°C的工作结温则满足了工业级应用的温度稳定性要求。

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