HSMP-3890-TR1G

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-3890-TR1G采用了经典的PIN结构。该结构在P型和N型半导体之间引入了一层本征（I）区，这一设计使其在高频工作状态下展现出独特的电学特性。本征区的存在使得器件在正向偏置时能够存储电荷，表现为一个受电流控制的可变电阻；而在反向偏置时，则形成一个几乎恒定的低电容，这对于实现高效的射频信号控制至关重要。

该器件的核心优势体现在其卓越的高频性能参数上。在反向偏置条件下，其结电容极低，典型值仅为0.3pF @ 5V， 1MHz，这确保了在高达数GHz的射频范围内，信号通过时的插入损耗和相位失真被降至最低。在正向偏置时，其串联电阻同样表现出色，典型值为2.5欧姆 @ 5mA， 100MHz，这为射频开关和衰减器应用提供了优异的导通状态性能。其100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，赋予了它良好的功率处理裕量和可靠性，最高结温可达150°C，适应严苛的工作环境。

在接口与封装方面，HSMP-3890-TR1G采用了业界通用的SOT-23-3表面贴装封装（亦称为TO-236-3或SC-59）。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，便于高密度集成，其标准化的引脚排布也简化了电路设计和生产组装流程。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过授权的博通代理商获取该产品的库存、数据手册及设计支持服务。

基于上述特性，HSMP-3890-TR1G非常适合应用于对高频性能和尺寸有严格要求的场景。它常被用作射频开关中的核心控制元件，在蜂窝基站、无线通信模块中实现信号路径的切换；在可调衰减器设计中，通过控制偏置电流来精确调节信号强度；此外，在限幅器电路中，它能有效保护后端灵敏的接收机电路免受大功率信号的冲击。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件供应中，它依然是一个经过验证的可靠选择。

• 型号:HSMP-3890-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取HSMP-3890-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-3890-TR1G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款高性能射频PIN二极管，采用SOT-23-3封装。其设计针对高频应用优化，在5V反向偏压及1MHz测试条件下，结电容典型值低至0.3pF，有效最小化了对高频信号的加载效应和插入损耗。

该器件在正向偏置时表现出低电阻特性，在5mA偏置电流及100MHz条件下，串联电阻典型值为2.5欧姆，确保了在导通状态下具有优异的射频性能。结合其100V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力，使其能够胜任射频开关、衰减器及限幅器等电路中的关键角色，满足通信设备对小型化与高可靠性的要求。