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HSMP-389B-TR2G的图片

HSMP-389B-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-389B-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-389B-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMP-389B-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,采用紧凑的SOT-323(SC-70)封装。该器件在射频信号路径中扮演着关键角色,其核心架构基于一个单PIN结,该结构在正向偏置时表现为一个由载流子寿命决定的可变电阻,在反向偏置时则表现为一个由本征层宽度决定的低值、高线性度电容。这种独特的物理特性使其能够高效地控制射频信号的导通、衰减与切换。

该二极管的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在5V反向偏压、1MHz测试条件下,其电容值低至0.3pF,这确保了在高达数GHz的工作频率下,器件对信号路径引入的容性负载极小,从而最大限度地减少了信号损耗和相位失真。同时,在5mA正向电流、100MHz条件下,其串联电阻仅为2.5欧姆,这使其在导通状态下能够实现极低的插入损耗,非常适合用于构建高性能的射频开关或衰减器。其高达100V的峰值反向电压提供了良好的耐压裕度,增强了电路的可靠性。

在接口与参数方面,HSMP-389B-TR2G的直流特性同样稳健,最大正向电流可达1A,能够承受较高的瞬态电流冲击。其结温(TJ)最高可支持150°C,确保了在宽温环境下的稳定工作。紧凑的SOT-323表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也符合现代电子设备高密度集成的趋势。尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在众多现有系统和设计中仍被广泛使用和指定,用户可通过博通中国代理等授权渠道获取库存或寻找替代方案。

该芯片典型的应用场景集中在需要精密射频控制的领域。它常被用于蜂窝基站、微波通信链路中的收发(T/R)开关,实现天线在发射与接收模式间的快速、低损耗切换。在可调衰减器、限幅器以及增益控制电路中,其电阻值随偏置电流线性变化的特性得到了充分利用。此外,在测试测量设备如矢量网络分析仪(VNA)的信号路径选择,以及高性能电视调谐器中,也能见到其身影,是构建高线性度、低失真射频前端的理想选择之一。

  • 型号:HSMP-389B-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 5mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-389B-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-389B-TR2G是Broadcom(原安华高)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-323封装。其核心优势在于卓越的射频特性组合:在5V反向偏压下电容低至0.3pF,有效减少了高频信号损耗;同时在5mA正向偏置时串联电阻仅为2.5欧姆,确保了开关或衰减状态下的低插入损耗。

该器件设计稳健,具备100V的高峰值反向电压和1A的最大电流处理能力,结温最高可达150°C,适用于要求高可靠性的环境。这些参数使其成为构建低失真、高线性度射频控制电路的优选元件,广泛应用于通信基础设施、测试仪器及信号处理模块中。

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