HSMP-482B-TR1G

HSMP-482B-TR1G是一款由安华高科技（现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，采用单芯片架构，核心是一个在重掺杂P型和N型半导体区域之间夹有高电阻本征（I）层的半导体结构。这种PIN结构使其在射频和微波频段展现出卓越的开关与调制性能，其本征层厚度经过优化，在反向偏置时能提供极低的结电容，而在正向偏置时则呈现为一个由少数载流子注入决定的可控线性电阻。

该器件在射频信号路径中主要作为电压控制的可变电阻或电子开关使用。其关键特性在于，在反向偏置状态下，结电容典型值低至0.75pF（条件为20V，1MHz），这确保了在高频应用中对信号路径的插入损耗和寄生效应降至最低。当施加正向偏置时，其串联电阻可低至600毫欧（条件为10mA，100MHz），实现了从高阻抗隔离状态到低阻抗导通状态的高效切换。其峰值反向电压高达50V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的工作裕量和可靠性保障。

在接口与参数方面，博通授权代理提供的技术资料显示，HSMP-482B-TR1G采用紧凑的SC-70（SOT-323）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其工作结温高达150°C，能够适应严苛的环境要求。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的性能参数和封装形式使其在特定领域仍有重要参考价值。这些电气与物理参数的组合，精准定义了它在射频前端电路中的行为模型。

基于其快速开关和低损耗特性，HSMP-482B-TR1G典型应用于蜂窝基站、无线通信设备中的射频开关矩阵、天线调谐网络以及高动态范围的衰减器电路。它也常用于测试与测量仪器的信号路由，以及需要精密射频信号控制的军工电子系统中。其设计平衡了高频性能与功率处理能力，是构建高性能射频前端模块的关键无源有源器件之一。

• 型号:HSMP-482B-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:50V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.75pF @ 20V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
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HSMP-482B-TR1G是一款射频PIN二极管，其核心设计旨在提供优异的射频开关与调制功能。该器件在反向偏置20V、1MHz条件下，展现出极低的0.75pF结电容，有效最小化了高频信号路径中的寄生效应；在正向偏置10mA、100MHz时，其串联电阻仅为600毫欧，确保了信号导通状态下的低插入损耗。

其电气规格包括50V的峰值反向电压和1A的最大正向电流，结合紧凑的SOT-323封装，使其能够胜任高密度板级设计。高达150°C的工作结温进一步拓宽了其环境适应性。这些参数共同构成了该器件在需要快速、低损耗射频信号控制应用中的技术基础。