HSMS-281C-TR1G

HSMS-281C-TR1G是一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的表面贴装肖特基二极管对，采用串联配置，封装于紧凑的SOT-323（SC-70）外壳中。该器件专为射频（RF）信号处理应用而优化，其核心架构基于高性能肖特基势垒技术，通过将两个二极管单元以串联形式集成在单一芯片上，有效提升了在射频电路中的匹配性和对称性，同时简化了PCB布局设计。

该芯片的功能特点突出体现在其高频性能上。其极低的结电容（典型值1.2pF @ 0V, 1MHz）是确保其在UHF及更高频段保持低损耗、高隔离度的关键，能够最大限度地减少对高速信号完整性的影响。同时，串联配置提供了更高的反向击穿电压（VRWM 20V），增强了电路的耐用性和可靠性。其正向导通特性也经过优化，在5mA电流下串联电阻典型值为15欧姆，有助于降低信号路径上的插入损耗。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的Broadcom代理商获取相关技术支持和库存信息。

在接口与参数方面，HSMS-281C-TR1G提供了标准的三引脚SOT-323封装，便于自动化贴装并节省电路板空间。其电气参数明确指向高频应用：最大反向工作电压20V，最大正向平均整流电流1A，以及高达150°C的结温（TJ）工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了其在射频电路中的角色一个快速、低损耗的开关或检波元件。

基于上述特性，HSMS-281C-TR1G非常适合于要求高频率和低寄生参数的场景。典型应用包括微波混频器、射频信号检波、低功耗射频开关以及频率高达数GHz的采样保持电路。其小型化封装也使其成为便携式无线设备、卫星通信模块、测试测量仪器前端等空间受限设计的理想选择，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统和备件供应中仍具有重要价值。

• 型号:HSMS-281C-TR1G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
• 电压 - 峰值反向（最大值）:20V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 供应商器件封装:SOT-323
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HSMS-281C-TR1G是一款采用SOT-323封装的表面贴装肖特基二极管对，由安华高科技（Broadcom博通）生产，专为高频射频电路设计。其核心优势在于极低的结电容（典型值1.2pF @ 0V）和优化的串联电阻（典型值15欧姆 @ 5mA），这使其在UHF及以上频段能实现低插入损耗和高信号完整性，适用于高速开关与检波应用。

该器件采用串联配置，提供了20V的反向击穿电压和1A的最大整流电流，增强了电路的耐用性。其紧凑的封装和高达150°C的结温工作范围，使其能够适应空间受限且对温度有要求的射频设计环境，如便携通信设备和测试仪器前端。