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HSMS-2822-BLKG的图片

HSMS-2822-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-2822-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2822-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2822-BLKG是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管对,采用串联配置集成于紧凑的SOT-23-3封装内。该器件基于成熟的肖特基势垒技术构建,其核心架构通过优化的半导体材料和金属结工艺,实现了极低的结电容与正向导通电压,专为高频信号处理而优化。其内部串联的一对二极管设计,为射频信号路径提供了对称的电气特性,特别适用于需要平衡或倍频功能的电路拓扑。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高频性能上。在0V偏置、1MHz测试条件下,其典型结电容仅为1pF,这一低电容特性使其在高达数GHz的频率范围内仍能保持优异的信号完整性,有效减少对高频信号的衰减和相位失真。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下,其典型串联电阻为12欧姆,结合其1A的最大正向电流能力,确保了在信号检波、混频等应用中具有良好的线性度和功率处理能力。其峰值反向电压为15V,为常见低电压射频系统提供了足够的保护裕量。值得注意的是,其结温(Tj)最高可承受150°C,展现了良好的热可靠性,适用于环境要求相对严苛的应用。

在接口与参数方面,该器件采用标准的TO-236-3(SC-59, SOT-23-3)三引脚封装,便于自动化贴装并节省电路板空间。其电气参数,如低电容、低串联电阻和适中的反向电压,共同定义了其在射频领域的应用边界。用户在选择替代方案或进行库存管理时,可通过正规的博通授权代理渠道获取原厂技术资料与支持。尽管该产品状态已标注为停产,但其成熟的设计和广泛的应用验证使其在现有系统维护和特定设计中仍具参考价值。

HSMS-2822-BLKG的典型应用场景主要集中在射频前端与信号调理电路。它非常适合用于微波混频器、平衡调制解调器以及高频信号检波电路,其低电容特性能够最小化对本振和射频信号的加载效应。此外,在频率倍增器、射频开关以及限幅器等电路中,其快速开关特性和对称的串联结构也能发挥关键作用。它常见于无线通信模块、测试测量设备及卫星接收机等对高频性能有严格要求的电子系统中。

  • 型号:HSMS-2822-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-2822-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2822-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款表面贴装肖特基二极管对,采用串联配置,封装于微型SOT-23-3内。其核心价值在于为高频应用提供了优异的射频特性组合。

该器件在0V偏置下仅1pF的极低结电容,确保了在高达GHz频段工作的信号路径具有最小的损耗与失真。同时,12欧姆的典型串联电阻与1A的最大正向电流能力,为其在检波、混频等非线性应用中提供了良好的线性度和功率处理潜力。15V的峰值反向电压与150°C的最高结温,进一步保障了其在常见低功耗射频系统中的可靠性与稳定性。

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