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HSMS-2827-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-143-4
原厂封装:封装:SOT-143-4
优势价格,HSMS-2827-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2827-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

本文档提供HSMS-2827-TR2G的详细技术介绍。该器件是一款由安华高科技(Avago Technologies,现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)封装,专为高频射频应用而优化。其核心架构基于高性能肖特基结,通过精密的半导体工艺实现了极低的结电容和串联电阻,从而在射频信号路径中引入最小的损耗和失真,确保信号完整性。

该二极管的功能特点突出体现在其高频性能上。其典型结电容在0V偏压、1MHz测试条件下仅为1pF,这一超低电容值使其能够工作在极高的频率下,对信号的高次谐波抑制和混频效率至关重要。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下测得的串联电阻典型值为12欧姆,较低的串联电阻有助于降低二极管在导通状态下的压降和功耗,提升整体能效。器件采用单桥接结构,最大反向峰值电压为15V,最大正向电流为1A,能够满足多数中低功率射频电路的保护与信号处理需求。其结温(TJ)最高可承受150°C,提供了较宽的工作温度范围保障。

在接口与参数方面,HSMS-2827-TR2G的封装形式为行业标准的四引脚SOT-143,便于自动化贴装并节省PCB空间。其电气参数组合低电容、低电阻、适中的电压与电流规格定义了一个性能均衡点。用户在设计时需注意,该器件已处于停产状态,在选用替代方案或进行长期产品规划时,建议通过可靠的博通授权代理渠道获取最新的产品生命周期信息和技术支持,以确保供应链的稳定与设计的合规性。

基于上述特性,HSMS-2827-TR2G非常适合应用于对频率响应和插损敏感的射频前端电路。典型应用场景包括微波混频器、检波器、低功耗射频开关以及高速信号采样电路。在通信设备、测试仪器和雷达系统中,它常被用于实现信号的频率转换、功率检测或作为保护二极管使用。其紧凑的封装也使其成为空间受限的便携式无线设备(如早期的一些无线模块)中射频部分设计的可选元件之一。

  • 型号:HSMS-2827-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-143-4
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-143-4
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 环形
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商器件封装:SOT-143-4
  • 想获取HSMS-2827-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2827-TR2G是安华高科技(Avago/Broadcom)推出的一款表面贴装肖特基射频二极管,采用SOT-143-4封装。其核心价值在于为高频应用提供了优异的性能平衡,典型结电容低至1pF @ 0V,串联电阻为12Ω @ 5mA,确保了在高频信号路径中的低损耗和快速响应。

该器件设计用于处理最高15V的反向峰值电压和1A的最大正向电流,最高结温为150°C,适用于中低功率场景。其主要定位是微波混频、检波、开关及采样电路,是早期通信与射频设备中实现关键信号处理功能的元件。需要注意的是,此型号目前已处于停产状态。

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