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HSMS-2829-TR1

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-143-4
原厂封装:封装:SOT-143-4
优势价格,HSMS-2829-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-2829-TR1的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

HSMS-2829-TR1是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基二极管,采用紧凑的SOT-143-4(TO-253-4)封装。该器件采用交叉对管架构,将两个独立的肖特基二极管集成在单一芯片上,其内部连接方式为共阴极配置,这种结构特别有利于射频信号处理中的平衡混频、检波和倍频应用,能够有效抑制偶次谐波并提升电路的共模抑制能力。

该二极管的核心优势在于其卓越的射频性能。其极低的结电容(典型值1pF @ 0V, 1MHz)串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz),确保了在高达数GHz频率范围内仍能保持优异的信号完整性和低损耗特性。高达150°C的结温(TJ)使其具备良好的热稳定性,适用于环境要求相对严苛的场合。其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,为中小功率射频应用提供了可靠的电气裕量。对于需要获取此型号原装正品或技术支持的工程师,可以通过正规的博通授权代理渠道进行咨询与采购。

在接口与参数方面,HSMS-2829-TR1的SOT-143-4封装提供了四个引脚,便于在PCB上进行灵活的布局布线,其小型化设计也顺应了现代电子产品高密度集成的趋势。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量应用和替代设计中仍具有参考价值。关键的电参数,如低结电容和串联电阻,直接决定了其在高速开关和射频信号路径中的表现,是评估其适用性的核心指标。

该器件典型的应用场景集中在射频前端和信号调理电路。它非常适合用于UHF至微波频段的混频器、检波器,能够高效地将射频信号下变频或解调出基带信息。此外,在频率倍增器、限幅器以及高速开关电路中,其快速开关特性和低寄生参数也能发挥关键作用。常见于无线通信模块、测试测量仪器、雷达接收前端等对射频性能有较高要求的电子系统中。

  • 型号:HSMS-2829-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-143-4
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-143-4
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 交叉
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
  • 供应商器件封装:SOT-143-4
  • 想获取HSMS-2829-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-2829-TR1是一款采用SOT-143-4封装的表面贴装射频肖特基二极管对管,由安华高科技(Broadcom博通)生产。其内部为共阴极连接的交叉对管结构,专为平衡式射频应用而优化。

该器件的核心性能参数突出,在0V偏压和1MHz条件下,其结电容典型值低至1pF,同时在5mA正向电流下的串联电阻仅为12欧姆。这些特性共同确保了其在射频路径中引入的损耗和信号失真极低,适用于高频信号处理。其峰值反向电压为15V,最大结温可达150°C,提供了稳定的工作范围。

综合其低寄生参数与对管结构,HSMS-2829-TR1主要面向要求高频率响应和良好平衡特性的应用,是射频混频、检波等电路中的关键元件。

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