HSMS-282C-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的表面贴装肖特基势垒二极管对,采用串联配置集成于微型SOT-323(SC-70)封装内。该器件专为高频信号处理优化,其核心架构基于肖特基结技术,利用金属-半导体接触形成的势垒实现快速开关与低正向压降特性。串联对管设计在单一封装内集成了两个匹配的二极管,简化了电路布局,特别适用于需要对称或平衡信号路径的射频应用。
该芯片在射频领域展现出显著优势,其极低的结电容(典型值1pF @ 0V, 1MHz)是核心特性之一,这确保了在高达数GHz的工作频率下,对信号路径的加载效应最小化,从而维持良好的信号完整性与带宽。同时,串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz)也处于较低水平,有助于减少信号衰减和功率损耗。器件具备15V的最大峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,提供了可靠的电气保护裕度。其紧凑的SOT-323封装不仅节省了宝贵的PCB空间,也优化了高频下的寄生参数性能。
在接口与参数方面,HSMS-282C-TR2G作为无源器件,其电气接口简洁,三个引脚分别对应两个二极管的阳极和共阴极连接。其性能参数在宽温范围内保持稳定,最高结温可达150°C,适应严苛的工作环境。用户可通过博通中国代理获取详细的技术规格与设计支持。该器件广泛应用于混频器、检波器、采样保持电路以及高频信号开关等场景,是通信设备、测试仪器、雷达模块等系统中实现高效射频信号整流的理想选择,尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。
HSMS-282C-TR2G是一款采用SOT-323封装的表面贴装肖特基二极管对,专为高频应用设计。其核心优势在于极低的寄生参数,典型结电容仅为1pF (@0V, 1MHz),串联电阻为12欧姆 (@5mA, 1MHz),这使其在射频至微波频段能实现高效的信号处理与最小的插入损耗。
该器件集成了两个串联配置的肖特基二极管,提供了15V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,确保了电路的鲁棒性。其微型封装和优化的高频特性,使其非常适合用于混频、检波、高速开关等对信号速度和完整性要求苛刻的电路模块中。