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HSMS-282R-TR2G的图片

HSMS-282R-TR2G

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-282R-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282R-TR2G的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

在射频信号处理领域,HSMS-282R-TR2G是一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的肖特基二极管对,采用紧凑的SOT-363(SC-88)封装。其核心架构基于两对串联的肖特基结,这种设计优化了高频性能,特别适合在低电压、高频率的电路中实现高效的信号控制。该器件在0V偏置下具有极低的结电容(典型值1pF @ 1MHz),这一特性使其在射频开关、混频和检波应用中能够最大限度地减少对信号路径的负载和失真,确保信号完整性。

该芯片的功能特点突出表现在其高频响应与低功耗性能上。极低的串联电阻(典型值12欧姆 @ 5mA, 1MHz)保证了在微小信号条件下仍能保持较高的导通效率和灵敏度,这对于能量收集或微弱信号检测电路至关重要。同时,其峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,提供了足够的操作余量。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统和备件市场中仍具参考价值。对于需要此类经典射频二极管解决方案的工程师,可以通过正规的博通中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

在接口与参数层面,HSMS-282R-TR2G采用6引脚TSSOP封装,便于在空间受限的PCB板上实现高密度贴装。其工作结温高达150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。低电容与低电阻的组合参数,使其特别适用于要求快速开关和低插入损耗的场合。这些参数共同定义了一个高效、灵敏的射频信号处理单元。

典型的应用场景涵盖广泛的无线通信与测试设备领域。它常被用于UHF至微波频段的平衡混频器、检波器以及高速开关电路中,例如在便携式通信设备、射频识别(RFID)读写器以及测试测量仪器的前端信号调理部分。其优异的性能使其成为工程师在设计和优化高频、低功耗射频子系统时曾经的一个重要选择。

  • 型号:HSMS-282R-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-282R-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282R-TR2G是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款表面贴装射频肖特基二极管对,采用SOT-363封装。其核心卖点在于卓越的高频特性,包括在0V偏置下极低的1pF结电容(@1MHz)以及仅12欧姆的串联电阻(@5mA, 1MHz),这使其能够最大限度地减少对高频信号路径的干扰,实现高速开关和低损耗信号处理。

该器件设计为两对串联结构,峰值反向电压为15V,最大正向电流为1A,工作结温可达150°C,为射频应用提供了可靠的性能边界。这些参数使其非常适合于要求高灵敏度与快速响应的射频检波、混频及开关电路,是无线通信设备前端设计的经典元件之一。

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