1N5767#T25

作为安华高科技（现隶属于Broadcom博通）旗下的一款专业射频开关二极管，1N5767#T25采用了经典的PIN（Positive-Intrinsic-Negative）单二极管结构。其核心在于一个宽的本征（I）区，这一设计使得器件在零偏或反偏状态下呈现出高阻抗和极低的结电容特性，而在正向偏置时则能通过载流子注入迅速转变为低阻抗状态，从而实现射频信号路径的高效导通与隔离控制。这种基于载流子寿命调制的工作原理，使其特别适用于高频开关与衰减应用。

该器件的功能特点突出表现在其优异的射频性能上。在50V反向电压、1MHz测试条件下，其结电容典型值仅为0.4pF，这一极低的电容值确保了在高频乃至甚高频（VHF）范围内，器件对信号路径的插入损耗影响最小化，保持了信号完整性。同时，在100mA正向电流、100MHz条件下，其串联电阻低至2.5欧姆，这为其在导通状态下提供了良好的射频传导性能，有助于降低信号衰减。其轴向DO-35（DO-204AH）封装形式成熟可靠，便于在传统PCB布局或轴向引线电路中安装。

在关键的接口与参数方面，1N5767#T25定义了明确的工作边界。其峰值反向电压最高可达100V，为电路设计提供了充足的安全裕量。最大正向直流电流为100mA，最大功率耗散为250mW，工程师在设计驱动电路和控制功耗时需要将这些参数纳入考量。这些电气参数共同框定了其稳定、可靠的工作区间，确保其在各种应用环境下性能的一致性。对于需要稳定货源和专业技术支持的客户，通过正规的博通一级代理进行采购是保障供应链顺畅与产品可靠性的重要途径。

基于上述技术特性，此款二极管广泛应用于需要快速、低损耗控制射频信号路径的场景。典型应用包括通信设备（如基站、对讲机）中的收发切换（T/R Switch）、天线调谐网络的开关元件、可编程射频衰减器，以及测试测量仪器中的信号路由选择。其在高频下的优异隔离度和低插入损耗，使其成为构建高性能射频前端与控制模块的关键基础元件之一。

• 型号:1N5767#T25
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:100 mA
• 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
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1N5767#T25是Broadcom（原安华高）推出的一款轴向封装PIN射频开关二极管。其核心价值在于为高频开关应用提供了优异的性能平衡，关键参数包括高达100V的峰值反向电压、低至0.4pF (@50V, 1MHz)的结电容以及仅2.5欧姆 (@100mA, 100MHz)的串联电阻。

这些特性直接转化为其在电路中的核心优势：极低的结电容确保了在高频信号路径中引入的损耗和失真最小，而低的串联电阻则在导通状态下保证了信号的高效传输。其250mW的功率耗散能力和经典的DO-35轴向封装，进一步满足了射频电路对可靠性及传统布局兼容性的要求。