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HSMP-481B-BLKG的图片

HSMP-481B-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMP-481B-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMP-481B-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为一款由安华高科技(现隶属于Broadcom博通)设计生产的射频PIN二极管,HSMP-481B-BLKG采用了先进的半导体工艺,其核心架构基于单PIN结构。这种结构在P型和N型半导体之间形成了一个本征(I)区,该区域在零偏或反偏时表现为一个低损耗电容,而在正向偏置时则表现为一个由载流子注入控制的低值电阻。这种独特的电学特性使其能够高效地执行射频信号的开关与衰减功能,是射频前端电路中的关键控制元件。

该器件的功能特点突出体现在其优异的射频性能上。在反向偏置条件下,其结电容极低,典型值仅为0.4pF(@50V, 1MHz),这确保了在高频信号路径中引入的插入损耗和信号失真最小化,对于维持系统带宽和信号保真度至关重要。在正向偏置时,其导通电阻典型值为3欧姆(@100mA, 100MHz),提供了良好的导通状态,有助于实现高效的信号通断比。其峰值反向电压高达100V,最大正向电流为1A,赋予了它较强的耐压和电流处理能力,提升了电路的可靠性。此外,其结温最高可达150°C,表明其能在相对严苛的热环境下稳定工作。

在物理接口与封装方面,HSMP-481B-BLKG采用了紧凑的SC-70(SOT-323)表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间,非常适合于高密度集成的现代电子设备,同时也优化了高频性能,减少了引线带来的寄生电感效应。用户在设计时需注意,该产品目前已处于停产状态,在为新项目选型时需考虑供应链的长期可获得性,或联系可靠的Broadcom代理商咨询库存及替代方案。

基于上述技术参数,该芯片广泛应用于需要精密控制射频信号路径的场合。典型应用场景包括蜂窝通信基站、微波中继系统中的射频开关矩阵,用于在不同频段或天线之间进行切换;在电压控制衰减器(VCA)中作为可变电阻元件,实现信号强度的连续可调;此外,也常见于测试测量仪器、雷达系统以及有线电视(CATV)设备中的保护电路或调制电路中,其快速开关特性与良好的线性度是保障系统性能的关键。

  • 型号:HSMP-481B-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:3 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMP-481B-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-481B-BLKG是安华高科技(Broadcom博通)推出的一款高性能射频PIN二极管,采用SOT-323封装。其核心优势在于优异的射频开关与衰减性能,在50V反向电压及1MHz测试条件下,结电容低至0.4pF,有效降低了高频信号路径中的插入损耗。

该器件具备100V的峰值反向电压耐受能力和1A的最大正向电流,确保了在严苛工况下的可靠性。在100mA正向电流及100MHz频率下,其导通电阻仅为3欧姆,提供了良好的信号导通特性。这些参数使其成为构建高线性度、低损耗射频控制电路的理想选择。

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